[发明专利]一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法在审

专利信息
申请号: 201710666733.2 申请日: 2017-08-07
公开(公告)号: CN107452964A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 赵斌 申请(专利权)人: 深圳市烯谷能源控股有限公司
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;B82Y30/00
代理公司: 深圳市德锦知识产权代理有限公司44352 代理人: 丁敬伟
地址: 518000 广东省深圳市南山区蛇口街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 锂电池 负极 铜箔 集电极 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于利用真空等离子镀膜技术在锂电池负极集电极铜箔上沉积一层纳米铜薄膜,再对铜薄膜表面进行离子源轰击处理,用以提高锂电池负极材料与集电极铜箔的附着力。

2.根据权利要求1所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于包含有如下步骤:

a、利用卷绕式真空磁控溅射镀膜设备,将要处理的8-16um厚度传统锂电池负极集电极用铜箔在净化房内裁切到需要的尺寸,然后将所述裁切后的待镀膜铜箔装入所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备内;

b、操作所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至镀铜薄膜及离子源轰击处理的工艺条件;

c、调整所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备的卷绕系统,将处于所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备的放卷辊上的待镀膜铜箔展开,调整铜箔卷绕张力以使镀膜铜箔可在放卷辊上稳定运行;

d、利用所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备在所述待镀膜铜箔表面沉积一定厚度的铜薄膜,待镀膜铜箔经过等离子沉积铜薄膜后,粗糙的表面凹坑被填平,表面粗糙度降低;

e、利用所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备的离子源对沉积铜薄膜后的铜箔表面进行等离子体轰击处理,使已沉积铜薄膜趋向于致密化,铜薄膜表面变光滑,粗糙度进一步降低,消除沉积铜薄膜的金属内应力。

3.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于步骤a中所述8-16um厚度铜箔裁切后的幅宽尺寸为:0.2-0.6m。

4.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于步骤b中所述镀铜薄膜及离子源轰击处理的工艺条件:本底真空度5x10-3Pa,镀铜薄膜及离子源轰击处理真空度3x10-1Pa。

5.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于步骤c中所述调整所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备的卷绕系统包括,卷绕速度设置为:1.5-3m/mi n、张力控制范围:15-50N。

6.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于步骤d中所述铜薄膜沉积厚度为250-350nm。

7.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于步骤e中所述等离子体轰击处理的工艺条件为:离子源轰击功率为3-5kw,轰击速度为1.5-3m/mi n。

8.根据权利要求2所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于还包括有步骤:对已镀铜薄膜和进行离子源轰击处理的所述锂电池负极集电极铜箔进行导电率及表面粗糙度测试,进行真空包装。

9.根据权利要求4所述的一种提高锂电池负极铜箔集电极电性能的方法,其特征在于在所述卷绕式真空磁控溅射镀膜设备上启动气体质量流量计,充入高纯氩气,使镀铜薄膜及离子源轰击处理真空度达到3x10-1Pa。

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