[发明专利]一种小线宽垂直型沟槽的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201710669348.3 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN109390227B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 刘文彬;王彦君;孙晨光;徐长坡;王万礼;刘晓芳;刘闯;张晋英;邢锡祥;李博;杜宏强;武鹏;王志明;赵杨;梅林 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 小线宽 垂直 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种小线宽垂直型沟槽的刻蚀方法，其特征在于：包括对硅片采用干法刻蚀产生沟槽，所述干法刻蚀使用的刻蚀气体包括Cl2、CF4、HBr、NF3和HeO2，所述干法刻蚀中不施加下电极射频；所述Cl2的流量是1-100sccm；所述干法刻蚀中施加的上电极射频功率为100-1000W。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述CF4的流量为5～200sccm。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述HBr的流量为10～400sccm。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述NF3的流量为5-400sccm。
5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述HeO2的流量为5-200sccm。
6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述干法刻蚀中反应气压为10～800mTorr。
7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：所述干法刻蚀中磁场强度为5～50Gauss。
8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于：还包括在所述干法刻蚀产生沟槽之前在所述硅片上生长氧化硅层，并进行氧化硅层刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司，未经天津环鑫科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710669348.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
