[发明专利]一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法

权利要求书

1.一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选择缺陷类型为点缺陷、线缺陷、面缺陷的微缺陷电池片各一片，然后分别组装在组件中，一个组件中包含一种缺陷类型；

2)将每个组件中的微缺陷电池片进行不同比例的遮挡，产生热斑效应；

3)计算产生热斑效应的微缺陷电池片的温度，计算式为：

P₁＝V_r*I_sh，

P₂＝V_r*I_re，

其中，T_热斑为产生热斑效应的微缺陷电池片的温度，T_a为环境温度，I_rad为辐射，K、K₁、K₂均为常数系数，P₁为遮挡产生的功率，A₁为微缺陷电池片被遮挡的面积，P₂为缺陷产生的功率，A₂为缺陷的面积，V_r为微缺陷电池片两端反偏电压，I_sh为微缺陷电池片的光生电流，I_re为微缺陷电池片的反偏漏电流。

2.根据权利要求1所述的一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法，其特征在于，所述点缺陷、线缺陷、面缺陷的判定方法为：在被测电池片两端施加12V反偏电压，采用红外热像仪进行温度测量，观测太阳电池表面沿着发热源形成的温度场，温度场场集中发热为一个点为点缺陷；温度场场集中发热为一条线为线缺陷；温度场场集中发热为面为面缺陷。

3.根据权利要求1所述的一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法，其特征在于，所述步骤2)中，遮挡比例选取为20％、30％、40％、50％、60％、70％、80％、90％。

4.根据权利要求1所述的一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法，其特征在于，所述常数系数K的取值为0.035。

5.根据权利要求1所述的一种微缺陷太阳电池组件热斑温度计算的方法，其特征在于，在进行温度计算前，采用红外热像仪对组件温度进行拍摄，结合实际温度，通过大量的测试数据，拟合出常数系数K₁和K₂，再对产生热斑效应的微缺陷电池片温度进行计算。