[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够提高对污染物的除去率。实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置部，放置基板并使其旋转；液体供给部，向所述基板的所述放置部侧的相反侧的面供给液体；冷却部，向所述基板的所述放置部侧的面供给冷却气体；及控制部，对所述基板的转速、所述液体的供给量、所述冷却气体的流量中的至少任意一个进行控制。所述控制部使位于所述基板面上的所述液体处于过冷却状态，并冷冻处于所述过冷却状态的所述液体的至少一部分。

技术区域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

在盖印用模板、光刻用掩模基板、半导体晶片等微观结构体中，基板表面上形成有细微的凹凸部。

在此，作为除去附着于基板表面的颗粒等污染物的方法，已周知超声波清洗法、双流体喷射清洗法等。但是，如果对基板施加超声波或者对基板表面喷射流体，则形成于基板表面的细微的凹凸部有可能发生破损。另外，近几年伴随凹凸部细微化的推进，凹凸部变得更容易发生破损。

于是，作为除去附着于基板表面的污染物的方法，提出了冷冻清洗法(例如，参照专利文献1)。

冷冻清洗法中，首先，向旋转的基板的表面供给纯水，排出被供给的纯水的一部分而在基板的表面上形成水膜。接下来，向基板的形成有水膜的侧供给冷却气体而冷冻水膜。当水膜发生冷冻而形成冰膜时，污染物包进冰膜中，从而污染物从基板表面分离。接下来，向冰膜供给纯水而溶解冰膜，与纯水一起将污染物从基板表面除去。

根据冷冻清洗法，能够抑制形成于基板表面的细微的凹凸部发生破损。

但是，如果向基板的形成有水膜的侧供给冷却气体，则从水膜的表面侧(水膜的基板侧的相反侧)开始发生冷冻。如果从水膜的表面侧开始发生冷冻，则难以使附着于基板表面的不纯物从基板表面分离。因此，难以提高对污染物的除去率。

专利文献1：日本国特开2013-69764号公报

发明内容

本发明所要解决的问题是提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够提高对污染物的除去率。

实施方式所涉及的基板处理装置具备：放置部，放置基板并使其旋转；液体供给部，向所述基板的所述放置部侧的相反侧的第一面供给凝固时体积膨胀的液体；冷却部，向所述基板的所述放置部侧的第二面供给冷却气体；及控制部，对所述基板的转速、所述液体的供给量和所述冷却气体的流量进行控制，所述基板处理装置的特征为，所述控制部对所述液体供给部进行控制，以比凝固点高的温度向所述第一面供给所述液体，而且，控制所述冷却部向所述第二面供给所述冷却气体，然后，在经过规定时间之前维持这个状态，在经过所述规定时间之后，一边控制所述冷却部供给所述冷却气体，一边控制所述液体供给部停止所述液体的供给，在停止所述液体供给之后，位于所述第一面上的所述液体从凝固点以上的温度变为过冷却状态，在变为所述过冷却状态的所述液体的至少一部分冷冻之前的期间，维持向所述第二面供给的所述冷却气体的供给量。

根据本发明的实施方式，提供一种基板处理装置以及基板处理方法，其能够提高对污染物的除去率。

附图说明

图1是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置1的模式图。

图2是用于例示本实施方式所涉及的基板处理方法的时间图。

图3是用于例示仅执行过冷却工序时及执行过冷却工序、冷冻工序时的曲线图。

图4是用于例示过冷却工序中的液体101温度与冷冻工序中的体积膨胀率的关系的曲线图。

图5是用于例示在多次反复执行液体101的供给工序、过冷却工序、冷冻工序时的曲线图。

图6是用于例示其他实施方式所涉及的基板处理装置1a的模式图。