[发明专利]预清洗腔室和半导体加工设备

权利要求书

1.一种预清洗腔室，包括腔体、顶盖、承载件和金属板，所述顶盖设置在所述腔体顶端，用于密封所述腔体，所述承载件设置在所述腔体底部，用以承载晶片，所述金属板水平设置在所述承载件和所述顶盖之间，且所述金属板上设置有贯穿其厚度的多个第一通气孔，其特征在于，所述预清洗腔室还包括吸附电源和绝缘保护板，所述金属板通过所述吸附电源间接接地，使进入所述第一通气孔内的等离子体中的离子吸附在所述第一通气孔的内表面上，以过滤所述等离子体中的离子，所述等离子体在所述金属板表面形成等离子体鞘层，其中：

所述吸附电源为负直流电源，所述吸附电源与所述金属板电连接，用以在所述金属板上形成电场，以使得所述等离子体中的离子在所述电场的驱动下发生偏移，与所述第一通气孔发生碰撞的所述等离子体中的离子附着在所述第一通气孔的内壁表面上，以过滤所述等离子体中的离子；

所述绝缘保护板设置在所述金属板和所述顶盖之间，所述绝缘保护板与所述金属板间隔设置，所述绝缘保护板上设置有贯穿其厚度的多个第二通气孔，所述绝缘保护板的厚度为10-20mm，所述绝缘保护板用于减弱所述等离子体鞘层的径向电场的强度，削弱所述等离子体中的离子的轰击动能，以能够阻止所述等离子体中的离子在所述等离子体鞘层的电压的驱动下轰击所述金属板的表面。

2.根据权利要求1所述的预清洗腔室，其特征在于，所述第一通气孔和所述第二通气孔的尺寸小于所述等离子体鞘层的厚度。

3.根据权利要求2所述的预清洗腔室，其特征在于，所述第一通气孔和所述第二通气孔的直径为0.2-10mm。

4.根据权利要求1所述的预清洗腔室，其特征在于，所述绝缘保护板的材料包括陶瓷材料。

5.根据权利要求1所述的预清洗腔室，其特征在于，所述金属板的厚度为20-50mm。

6.根据权利要求1至5任意一项所述的预清洗腔室，其特征在于，所述金属板上还设置有至少一个第一定位部，所述绝缘保护板上还设置有至少一个第二定位部，所述第一定位部与所述第二定位部对应设置，且所述第一定位部设置在所述第二定位部中，以使得所述绝缘保护板处于所述金属板的预设位置。

7.根据权利要求6所述的预清洗腔室，其特征在于，所述第一定位部包括卡接部，所述第二定位部包括卡槽，所述卡接部设置在所述卡槽中。

8.根据权利要求6所述的预清洗腔室，其特征在于，所述第一定位部包括第一安装孔，所述第二定位部包括第二安装孔，所述预清洗腔室还包括定位销，所述定位销安装在所述第一安装孔和所述第二安装孔内。

9.一种半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括权利要求1至8任意一项所述的预清洗腔室。