[发明专利]一种超低功耗带隙基准电路

权利要求书

1.一种超低功耗带隙基准电路，其特征在于：包括启动电路、偏置电路、亚阀值区工作电路、基准电压输出电路、基准电流输出电路，所述启动电路与偏置电路输入端连接，所述偏置电路分别与启动电路、基准电压输出电路和基准电流输出电路连接，且提供电流偏置；

所述亚阀值区工作电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管，所述第一MOS管栅极与漏极短接，且还与第三MOS管的源极连接，所述第三MOS管的栅极与漏极短接，且还与偏置电路连接，所述第一MOS管的栅极与第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极还与启动电路连接，第二MOS管的源极还通过第一电阻R1与启动电路连接；

所述基准电压输出电路包括三极管、第二电阻、第十四MOS管、第十五MOS管，所述三极管的基极和集电极短接，且分别与启动电路和亚阀值区工作电路连接，所述三极管的发射极通过第二电阻与第十五MOS管的漏极连接，且所述第十五MOS管漏极作为基准电压输出端，所述第十五MOS管的源极与第十四MOS管的漏接连接，所述第十四MOS管的源极分别与启动电路、基准电流输出电路、偏置电路连接，所述第十四MOS管、第十五MOS管的栅极与启动电路连接。

2.根据权利要求1所述的一种超低功耗带隙基准电路，其特征在于：所述启动电路包括第九MOS管、第十六MOS管、第十七MOS管、第十八MOS管、第十九MOS管、第二十MOS管、第二十一MOS管，所述第十七MOS管的栅极与电源VDD连接，漏极分别与第十六MOS管、第十八MOS管的栅极连接，所述第十七MOS管的源极与第十八MOS管的源极连接，且还与三极管的基极连接，所述第十六MOS管的漏极和源极均与第二十MOS管的源极连接，所述第二十MOS管的漏极与第十九MOS管的源极连接，所述第十九MOS管的漏极与第十八MOS管的漏极连接，所述第十八MOS管的源极与第二十一MOS管的漏极连接，所述第二十MOS管、第十九MOS管的栅极均与偏置电路连接，所述第二十一MOS管的栅极与第九MOS管的栅极连接，所述第九MOS 管的源极和漏极分别与偏置电路连接，第二十一MOS 管的源极还与其漏极连接。

3.根据权利要求1所述的一种超低功耗带隙基准电路，其特征在于：所述偏置电路包括第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第十三MOS管，所述第十MOS管源极与第十四MOS管的源极连接，漏极与第十一MOS管的源极连接，所述第十一MOS管的漏极与第十二MOS管的漏极连接，所述第十二MOS管的源极与第十三MOS管的漏极连接，所述第十三MOS管的源极与三极管的基极连接，所述第十MOS管、第十一MOS管和第十二MSO管的栅极分别与启动电路连接，所述第十二MOS管的栅极还与第三MOS管的漏极连接，所述第十三MOS管的栅极与第一MOS管的漏极连接。

4.根据权利要求1所述的一种超低功耗带隙基准电路，其特征在于：所述基准电流输出电路包括第二十三MOS管、第二十四MOS管，所述第二十三MOS管的源极与第十四MOS管的源极连接，漏极与第二十四MOS管的源极连接，所述第二十三MOS 管的栅极和第二十四MOS 管的栅极分别与启动电路连接，所述第二十四MOS管的漏极作为基准电流输出端。