[发明专利]一种半桥模块和封装方法

权利要求书

1.一种半桥模块，其特征在于，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；所述上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个上半桥辅助源极驱动信号端子、一个上半桥栅极驱动信号端子和一个上半桥漏极功率信号端子，所述上半桥子单元包括两个直接并联碳化硅芯片、一个上半桥覆铜陶瓷基板、上半桥并联芯片的栅极信号汇集区域、上半桥并联芯片的辅助源极信号汇集区域、上半桥并联芯片的漏极信号汇集区域，所述子单元内的两个碳化硅芯片关于所述上半桥覆铜陶瓷基板的中轴线对称分布，所述上半桥辅助源极驱动信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥辅助源极信号汇集区域连接，所述上半桥栅极驱动信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥栅极信号汇集区域连接；所述上半桥漏极功率信号端子与相邻的两个所述上半桥子单元的所述上半桥漏极信号汇集区域连接；

所述下半桥模块包括多个并联的下半桥子单元、一个下半桥辅助源极驱动信号端子、一个下半桥栅极驱动信号端子、一个下半桥漏极功率信号端子和一个下半桥源极功率信号端子，所述下半桥子单元包括两个并联碳化硅芯片、一个下半桥覆铜陶瓷基板、下半桥栅极信号汇集区域、下半桥辅助源极信号汇集区域、下半桥漏极信号汇集区域和下半桥源极信号汇集区域，所述两个碳化硅芯片关于所述下半桥覆铜陶瓷基板的中轴线对称分布，所述下半桥辅助源极驱动信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥辅助源极信号汇集区域连接，所述下半桥栅极驱动信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥栅极信号汇集区域连接；所述下半桥漏极功率信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥漏极信号汇集区域连接，所述下半桥源极功率信号端子与相邻的两个所述下半桥子单元的所述下半桥源极信号汇集区域连接；

所述各种功率信号端子和所述各种驱动信号端子的结构为二叉树状结构。

2.根据权利要求1所述的半桥模块，其特征在于，所述上半桥模块相邻的两个子单元之间的距离相同，所述下半桥模块相邻的两个子单元之间的距离大小相同。

3.根据权利要求1所述的半桥模块，其特征在于，所述各种驱动信号端子和所述各种功率信号端子结构为树枝结构端子，所述树枝结构端子每一层分叉数量均为两个，所述驱动信号端子和所述功率信号端子结构的每一层分叉中轴线部分留有缺口，所述驱动信号端子和所述功率信号端子的材料为铜，每一层所述树枝结构端子的长度相同，每一层所述树枝结构端子的间隔相同，每一层所述树枝结构端子的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的半桥模块，其特征在于，所述各种驱动信号端子和所述各种功率信号端子的结构边缘棱角为圆角形式，四周被硅胶灌封。

5.一种封装方法，其特征在于，

在上半桥覆铜陶瓷基板单元上设置两个碳化硅芯片区域、栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域和漏极信号汇集区域；多个所述上半桥覆铜陶瓷基板单元组成上半桥模块；

在下半桥覆铜陶瓷基板单元设置两个碳化硅芯片、栅极信号汇集区域、辅助源极信号汇集区域、源极信号汇集区域和漏极信号汇集区域；多个所述下半桥覆铜陶瓷基板单元组成下半桥模块；

在所述碳化硅芯片区域内焊接碳化硅芯片；

在上半桥模块的所述栅极信号汇集区域和所述辅助源极信号汇集区域分别焊接驱动信号端子，在所述漏极信号汇集区域焊接功率信号端子；

在下半桥模块的所述栅极信号汇集区域和所述辅助源极信号汇集区域分别焊接驱动信号端子，在所述源极信号汇集区域和所述漏极信号汇集区域焊接功率信号端子；

将上半桥模块和下半桥模块各自的所述碳化硅芯片的栅极通过键合线连接到各自的栅极信号汇集区域，将上半桥模块和下半桥模块各自的所述碳化硅芯片的源极通过键合线连接到各自的辅助源极信号汇集区域，将上半桥模块所述碳化硅芯片的源极和下半桥模块的漏极相连；

将液态复合物灌入所述上半桥模块和所述下半桥模块内，在常温或加热条件下将所述液态复合物固化成为热固性高分子绝缘材料。