[发明专利]一种VCSEL小型化COB封装制造方法

权利要求书

1.一种VCSEL小型化COB封装制造方法,其特征在于制造方法包括:

(1)基板:采用氮化铝基板，在600-650摄氏度氧化气氛下烧结，以低温银浆金属化，内外电路连通的通孔填浆；

(2)光窗玻璃：400～1200nm波长透过率92.7％的平板K9玻璃，切割加工成圆片，四周印刷低温玻璃浆料，烘干备用；

(3)金属管帽：以可伐合金薄板冲压成具有光窗的金属管帽，备用；

(4)带光窗玻璃的金属管帽：将光窗玻璃置于金属管帽通过低温玻璃焊料HYG750熔封，熔封过程：预热区RT～100℃10mi n、升温区100～350℃10mi n、烧结区350～580℃15mi n、降温区580～350℃15mi n、冷却区350～100℃10mi n；

(5)将所述氮化铝基板、金属管帽进行镀镍和镀金，备用；

(6)芯片封装：将VCSEL芯片共晶固着在氮化铝底板上，以绑线工艺将芯片连接于氮化铝底板上的电极焊盘的电极中，完成芯片封装，将带光窗玻璃的金属管帽放置在封好芯片的氮化铝基板上，采用锡焊的工艺将带光窗玻璃的金属管帽密封固定在氮化铝基板上，COB封装VCSEL激光器制造完成。

2.根据权利要求1所述的一种VCSEL小型化COB封装制造方法,其特征在于：所述氮化铝基板长宽厚度为：3.5mm*3.5mm*0.4mm,所述光窗玻璃厚度为0.2毫米的平板K9玻璃，切割加工成直径2.8毫米的圆片；所述可伐合金薄板厚度为0.2毫米，冲压成底部边长3.3毫米，光窗口径2.5毫米的金属管帽。

3.根据权利要求1所述的一种VCSEL小型化COB封装制造方法,其特征在于：所述预热区、升温区、烧结区、降温区、冷却区在熔封过程中，气氛分别为氧化、氧化、中性、还原、还原。