[发明专利]切膜装置及其切膜方法在审
申请号: | 201710673936.4 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN109390248A | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 曾永村;陈明宗;杨佳裕 | 申请(专利权)人: | 志圣科技(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B26D1/04 |
代理公司: | 北京先进知识产权代理有限公司 11648 | 代理人: | 邵劲草;唐军香 |
地址: | 510850 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切刀 运动模块 承载座 薄膜 切膜装置 裁切 晶圆 切膜 薄膜形成 切割薄膜 移动 破孔 贴附 | ||
1.一种切膜装置,用以裁切适于贴附于一晶圆的一薄膜,该晶圆具有一外缘以及位于该外缘的一凹槽,其特征在于,该切膜装置包含:
一承载座;
一运动模块,设置于该承载座;
一凹槽切刀,设置于该运动模块,该运动模块可带动该凹槽切刀相对该承载座移动而接近或远离该薄膜,且该凹槽切刀可切割该薄膜而于该薄膜形成一破孔;以及
一外缘切刀,设置于该运动模块,该运动模块可带动该外缘切刀相对该凹槽切刀移动而接近或远离该薄膜,该运动模块可带动该外缘切刀相对该承载座旋转,且该外缘切刀可裁切该薄膜。
2.如权利要求1所述的切膜装置,其特征在于,该运动模块包含相互独立的一第一线性运动元件、一第二线性运动元件以及一旋转轴件,该第一线性运动元件与该旋转轴件设置于该承载座,该第二线性运动元件设置于该旋转轴件,该凹槽切刀设置于该第一线性运动元件,且该外缘切刀设置于该第二线性运动元件。
3.如权利要求2所述的切膜装置,其特征在于,该承载座具有面向该旋转轴件的一装设面,且该第一线性运动元件设置于该装设面。
4.如权利要求2所述的切膜装置,其特征在于,该运动模块更包含设置于该第二线性运动元件的一第三线性运动元件,该外缘切刀设置于该第三线性运动元件,该第二线性运动元件可带动该外缘切刀与该第三线性运动元件沿一外缘下刀方向移动而接近或远离该薄膜,且该第三线性运动元件可相对该第二线性运动元件沿非平行于该外缘下刀方向的一外缘承靠方向移动。
5.如权利要求2所述的切膜装置,其特征在于,该第一线性运动元件可带动该凹槽切刀沿一凹槽下刀方向移动而接近或远离该薄膜,且该凹槽切刀可相对该第一线性运动元件沿非平行于该凹槽下刀方向的一调整方向移动。
6.如权利要求5所述的切膜装置,其特征在于,该运动模块更包含设置于该第一线性运动元件的一第四线性运动元件,该凹槽切刀设置于该第四线性运动元件,且该第四线性运动元件可带动该凹槽切刀沿该调整方向移动。
7.如权利要求5所述的切膜装置,其特征在于,该凹槽下刀方向平行于该旋转轴件的轴心。
8.如权利要求1所述的切膜装置,其特征在于,该凹槽切刀的形状匹配该晶圆的该凹槽的形状,且该凹槽切刀的尺寸小于该凹槽的尺寸。
9.如权利要求8所述的切膜装置,其特征在于,该切膜装置具有一凹槽裁切状态以及一外缘裁切状态,于该凹槽裁切状态时,该凹槽切刀切割该薄膜而于该薄膜形成该破孔,于该外缘裁切状态时,该外缘切刀穿过该破孔并且可相对该薄膜移动而裁切该薄膜,该凹槽切刀具有匹配于该凹槽的侧缘的一切割刃,于该凹槽裁切状态时,该切割刃与该凹槽的侧缘相间隔。
10.一种切膜方法,用以裁切适于贴附于一晶圆的一薄膜,该晶圆具有一外缘以及位于该外缘的一凹槽,其特征在于,该切膜方法包含:
借由一运动模块带动一凹槽切刀进行一破孔形成程序,以使该凹槽切刀切割该薄膜,而于该薄膜形成一破孔;
借由该运动模块带动一外缘切刀进行一定位程序,以使该外缘切刀穿过该破孔;以及
借由该运动模块带动该外缘切刀进行一薄膜裁切程序,以使该外缘切刀相对该薄膜移动而裁切该薄膜。
11.如权利要求10所述的切膜方法,其特征在于,该运动模块包含相互独立的一第一线性运动元件以及一第二线性运动元件,该第一线性运动元件带动该凹槽切刀进行该破孔形成程序,且该第二线性运动元件带动该外缘切刀进行该定位程序。
12.如权利要求11所述的切膜方法,其特征在于,该运动模块更包含一旋转轴件,且该旋转轴件带动该外缘切刀进行该薄膜裁切程序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造