[发明专利]存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，该存储装置包括：

存储块，该存储块包括联接到存储单元的字线；

外围电路，该外围电路被配置成针对与所述存储块的被选字线联接的至少一个被选存储单元执行编程操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制所述外围电路以在编程电压被施加到所述被选字线的同时向所述存储块的未选字线施加多个通过电压中的一个通过电压，

其中，当已经对所述未选字线执行所述编程操作时，所述多个通过电压中的第一通过电压被施加到所述未选字线，并且

其中，当尚未对所述未选字线执行所述编程操作时，所述多个通过电压中的与所述第一通过电压不同的第二通过电压被施加到所述未选字线。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述存储块被形成为包括所述被选字线和所述未选字线的字线在水平方向布置在基板上的二维2D结构或者所述存储块被形成为包括所述被选字线和所述未选字线的字线在垂直方向布置在所述基板上的三维3D结构。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述外围电路包括电压发生电路，所述电压发生电路被配置成产生：

要被施加至所述被选字线的所述编程电压，以及

要被施加至所述未选字线的所述多个通过电压。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中，在针对与所述存储块中包括的多条字线当中的所述被选字线联接的一个或更多个被选存储单元的所述编程操作期间，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以确定所述存储块是否包括与已经执行编程操作的未选字线联接的一个或更多个存储单元并且基于所确定的结果来产生通过电压。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成：

控制所述外围电路以当与已经执行所述编程操作的所述未选字线联接的所述一个或更多个存储单元被包括在所述存储块中时，向已经执行所述编程操作的所述未选字线施加所述第一通过电压，并且向尚未执行所述编程操作的所述未选字线施加比所述第一通过电压低的所述第二通过电压。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以当向已经执行所述编程操作的所述未选字线施加所述第一通过电压时，向尚未执行所述编程操作的一条或更多条剩余未选字线施加所述第二通过电压。

7.根据权利要求1所述的存储装置，该存储装置还包括：

多条字线，所述多条字线包括所述被选字线和多条未选字线，

其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路：

设置所述多条字线当中的参考字线并且确定所述被选字线是否是参考字线，并且

当所述被选字线是所述参考字线时，向位于被选页之前的第一组未选字线和位于所述被选页之后的第二组未选字线施加不同的通过电压，

其中，通过编程操作的编程电压已经被施加到所述第一组未选字线，并且

其中，通过所述编程操作的所述编程电压尚未被施加到所述第二组未选字线。

8.根据权利要求7所述的存储装置，其中，关于所述参考字线的信息被存储在所述控制逻辑和所述存储块的标志区域中的至少一者中。

9.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以在所述被选字线到达所述参考字线之前，向尚未执行所述编程操作的所述第二组未选字线施加第三通过电压，并且向已经执行所述编程操作的所述第一组未选字线施加所述第三通过电压或者比所述第三通过电压低的第四通过电压。

10.根据权利要求7所述的存储装置，其中，所述控制逻辑被配置成控制所述外围电路以在所述被选字线到达所述参考字线之后，向尚未执行所述编程操作的所述第二组未选字线施加第三通过电压，并且向已经执行所述编程操作的所述第一组未选字线施加比所述第三通过电压高的第五通过电压。