[发明专利]一种TFT基板的制备方法、TFT基板以及OLED显示面板

权利要求书

1.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，包括：

在一基板上依次形成栅电极、栅极绝缘层、多晶硅层和阻挡层，其中，所述多晶硅层包括源极区、漏极区和沟道区；

通过第一道光罩对位于所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行刻蚀，以使所述源极区和所述漏极区上方的所述阻挡层的厚度为450埃至550埃之间；

对所述源极区和所述漏极区的所述多晶硅层进行离子布植；

通过第二道光罩对所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行图案化处理，以分别在所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层上形成第一类接触孔；

在所述阻挡层上方形成源极和漏极，其中，所述源极和漏极分别通过所述第一类接触孔与所述源极区和漏极区的所述多晶硅层连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过第一道光罩对位于所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行刻蚀，包括：

通过所述第一道光罩，令刻蚀后的所述沟道区上方的所述阻挡层的厚度大于所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层的厚度，且刻蚀后的所述沟道区上方的所述阻挡层的厚度为离子不能穿过的厚度。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述对所述源极区和所述漏极区的所述多晶硅层进行离子布植，包括：

对所述TFT基板进行离子布植，位于所述源极区和漏极区上方离子穿过所述源极区和漏极区上方所述阻挡层，掺入所述源极区和漏极区的多晶硅层，且位于所述沟道区上方的离子被所述沟道区上方的所述阻挡层阻挡。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过第二道光罩对所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行图案化处理，以分别在所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层上形成第一类接触孔，包括：

通过第二道光罩对所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层以及经过离子布植的所述多晶硅层进行图案化处理，以使所述阻挡层和所述多晶硅层的图案化区域形成第一类接触孔。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过第二道光罩对所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层进行图案化处理，以分别在所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层上形成第一类接触孔，还包括：

通过所述第二道光罩对设置于所述多晶硅层之外的所述阻挡层进行图案化处理，以在所述设置于所述多晶硅层之外的所述阻挡层上形成第二类接触孔；

其中，所述第二类接触孔用于连接所述栅电极同层的金属走线与所述源极和漏极同层的金属走线，所述栅电极同层的金属走线位于所述设置于所述多晶硅层之外的所述阻挡层下方。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度小于或等于所述栅极绝缘层的厚度；和/或

经所述第一道光罩刻蚀后的所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层的厚度为450埃至550埃之间，经所述第一道光罩刻蚀后的所述沟道区上方的所述阻挡层的厚度与刻蚀前的厚度相同。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一类接触孔的底部裸露出所述栅极绝缘层。

8.一种TFT基板，其特征在于，包括：

基板及形成在所述基板上的栅电极、栅极绝缘层、多晶硅层、阻挡层、源极和漏极，其中，所述多晶硅层包括源极区、漏极区和沟道区，所述源极区和漏极区的所述多晶硅层经过离子布植；

所述源极和漏极分别通过所述源极区和漏极区上方的所述阻挡层以及经过离子布植的所述多晶硅层上的第一类接触孔与所述源极区和漏极区的所述多晶硅层连接；

其中，所述源极区和所述漏极区上方的所述阻挡层的厚度为450埃至550埃之间。

9.根据权利要求8所述的TFT基板，其特征在于，所述多晶硅层的厚度小于或等于所述栅极绝缘层的厚度。

10.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：

TFT基板，以及形成于所述TFT基板上的平坦层、阳极层、有机发光器件层；所述阳极层为所述有机发光器件层提供阳极驱动信号，所述阳极层与所述TFT基板的漏极连接；

其中，所述TFT基板由权利要求1至7任意一项所述的制备方法制备得到。