[发明专利]一种射频开关电路

权利要求书

1.一种射频开关电路，包括:

栅极电压控制模块，用于建立控制开关模块导通或关断的栅极控制电压VCG，所述栅极电压控制模块包括扩大N倍后的第一公共偏置电阻以及与所述第一公共偏置电阻并联的采用二极管连接自偏置的互补MOS管开关对；

体极电压控制模块，用于建立控制该开关模块导通或关断的体极控制电压VCB；

开关模块，用于在该栅极控制电压VCG和体极控制电压VCB的控制下将射频输入信号RFin连接或不连接至射频输出端RFout。

2.如权利要求1所述的一种射频开关电路，其特征在于：该栅极电压控制模块将第一公共偏置电阻扩大N倍后，与采用互补二极管连接自偏置的NMOS管与PMOS管开关对并联。

3.如权利要求2所述的一种射频开关电路，其特征在于：该栅极电压控制模块包括第一NMOS管和第一PMOS管，该第一NMOS管的栅极、体极和漏极、第一PMOS管的栅极、体极和漏极以及第一公共偏置电阻的一端相连组成节点VCG连接该开关模块，该第一NMOS管的源极、第一PMOS管的源极以及该第一公共偏置电阻的另一端相连组成节点VG。

4.如权利要求3所述的一种射频开关电路，其特征在于：该体极电压控制模块将第二公共偏置电阻扩大N倍后，与采用互补二极管连接自偏置的NMOS管及PMOS管开关对并联。

5.如权利要求4所述的一种射频开关电路，其特征在于：该体极电压控制模块包括第二NMOS管、第二PMOS管以及第二公共偏置电阻，该第二NMOS管的栅极、体极和漏极、第二PMOS管的栅极、体极和漏极以及第二公共偏置电阻的一端相连组成节点VCB连接该开关模块，该第二NMOS管的源极、第二PMOS管的源极以及该第二公共偏置电阻的另一端相连组成节点VB。

6.如权利要求5所述的一种射频开关电路，其特征在于：该开关模块包括多个级联的NMOS管、多个体极偏置电阻、多个栅极偏置电阻以及多个通路电阻。

7.如权利要求6所述的一种射频开关电路，其特征在于：该开关模块的N个NMOS开关依次串联级联，即射频输入信号RFin连接至NMOS管MN的漏极，NMOS管MN的源极连接NMOS管M(N-1)的漏极，NMOS管M(N-1)的源极连接NMOS管M(N-2)的漏极，……，NMOS管M3的源极连接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的源极连接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的源极为射频开关的输出RFout，通路电阻R_K连接在NMOS管MK的漏极和源极间，体极偏置电阻R_BK的一端连接至NMOS管MK的体端，体极偏置电阻R_BK的另一端与该第二NMOS管的体极、漏极和栅极、该第二PMOS管的体极、漏极和栅极以及第二公共偏置电阻的一端相连组成节点VCB，栅极偏置电阻R_GK的一端连接至NMOS管MK的栅极，栅极偏置电阻R_GK的另一端与该第一NMOS管的体极、栅极和漏极、该第一PMOS管的体极、栅极和漏极以及第一公共偏置电阻的一端相连组成该节点VCG。

8.如权利要求5所述的一种射频开关电路，其特征在于：当该射频开关关断时，控制电压由高切换至低，由于时延，第一及第二NMOS管在建立时间内导通，与公共偏置电阻并联，加速放电，缩小开关关断时间，电压建立之后，第一及第二NMOS管关断，第一及第二NMOS管电阻大于公共偏置电阻，不影响射频开关射频特性。

9.如权利要求5所述的一种射频开关电路，其特征在于：当该射频开关开启时，控制电压由低切换至高，由于时延，第一及第二PMOS管在建立时间内导通，与公共偏置电阻并联，加速充电，缩小开关开启时间；电压建立之后，PMOS管关断，PMOS管电阻大于公共偏置电阻，不影响射频开关射频特性。