[发明专利]一种自适应线性度增强低噪声放大器

权利要求书

1.一种自适应线性度增强低噪声放大器，包括：

输入放大电路,用于将输入信号RFin进行初步放大；

输出放大电路，用于将所述输入放大电路的输出进一步放大并输出RFout信号至后续电路；

可控有源反馈电路，用于产生一可变等效电阻反馈使线性度自适应可控并经可变等效电阻给所述输入放大电路的NMOS管MMT提供自偏置电压；

三阶跨导补偿电路，用于产生三阶跨导补偿增强线性度；

偏置控制电路，用于在控制电压Vc的控制下产生所述可控有源反馈电路和所述三阶跨导补偿电路工作所需要的偏置电压；

其中，所述输入放大电路包括输入NMOS管、输入耦合电容、输入匹配电感、补偿电容以及反馈电感；输入信号RFin连接至所述输入耦合电容的一端，所述输入耦合电容的另一端连接至所述输入匹配电感的一端，所述输入匹配电感的另一端连接至所述补偿电容的一端以及所述可控有源反馈电路、所述输入NMOS管的栅极，所述输入NMOS管的源极连接所述反馈电感的一端和所述补偿电容的另一端，所述反馈电感的另一端连接至地，所述输入NMOS管的漏极连接所述输出放大电路、可控有源反馈电路、三阶跨导补偿电路；

所述三阶跨导补偿电路包括补偿NMOS管、第二偏置电阻以及补偿耦合电容。

2.如权利要求1所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述输出放大电路包括输出NMOS管、输出耦合电容、第一偏置电阻以及负载电感、负载电容。

3.如权利要求2所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述输出NMOS管的栅极通过所述第一偏置电阻连接至电源，漏极通过所述负载电感、所述负载电容连接至电源，所述输出NMOS管的漏极还通过所述输出耦合电容连接至输出端RFout，所述输出NMOS管的源极与衬底连接所述输入NMOS管漏极、所述可控有源反馈电路与三阶跨导补偿电路。

4.如权利要求3所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述可控有源反馈电路包括反馈NMOS管以及第三偏置电阻。

5.如权利要求4所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述反馈NMOS管栅极通过所述第三偏置电阻连接至所述偏置控制电路，其漏极连接所述输入NMOS管漏极、所述输出NMOS管源极和衬底以及所述三阶跨导补偿电路，其源极连接所述输入匹配电感、所述输入NMOS管栅极以及所述补偿电容。

6.如权利要求2所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述补偿NMOS管栅极通过所述第二偏置电阻连接至所述偏置控制电路并通过补偿耦合电容连接至输入信号RFin，其源极连接至所述反馈电感的中间抽头，其漏极与所述输入NMOS管的漏极、所述补偿NMOS管的漏极、所述输出NMOS管的源极和衬底连接。

7.如权利要求6所述的一种自适应线性度增强低噪声放大器，其特征在于：所述偏置控制电路的输入端连接控制电压，其输出端分别通过所述第二偏置电阻、第三偏置电阻连接所述所述三阶跨导补偿电路以及可控有源反馈电路。