[发明专利]一种压印式钙钛矿太阳能电池及该电池的制法在审
申请号: | 201710677111.X | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN107565021A | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 陈丽;刘冠辰;谢小银 | 申请(专利权)人: | 吉林化工学院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 岳昕 |
地址: | 132022 吉林省吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压印 式钙钛矿 太阳能电池 电池 制法 | ||
1.一种压印式钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括:由下至上依次排布并相互紧密接触的第一基底(1)、第一电极(2)、介孔层(3)、钙钛矿层(4)、空穴传输层(5)、第二电极(6)和第二基底(7),
钙钛矿层(4)表面设有凸起或凹陷的压印结构。
2.根据权利要求1所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池,其特征在于,
第一基底(1)和第二基底(7)均为玻璃基底;
第一电极(2)为FTO电极,第二电极(6)为银电极,厚度为100nm~200nm;
介孔层(3)的材料为TiO2,厚度为300nm~600nm;
钙钛矿层(4)的材料为CH3NH3PbI3,厚度为400nm~1000nm;
空穴传输层(5)的材料为Spiro-OMeTAD,厚度为200nm。
3.一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
首先,在覆有第一电极(2)的第一基底(1)上表面依次制备介孔层(3)和钙钛矿层(4);
然后,在钙钛矿层(4)的上表面进行压印,使钙钛矿层(4)表面形成凸起或凹陷的压印结构;
最后,在钙钛矿层(4)的上表面依次制备空穴传输层(5)、第二电极(6)和第二基底(7),形成一种压印式钙钛矿太阳能电池。
4.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,在步骤一前,首先对第一基底(1)和第二基底(7)进行清洗并烘干。
5.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
在覆有第一电极(2)的第一基底(2)上表面旋涂介孔材料,形成介孔层(3)。
6.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,在介孔层(3)上表面旋涂甲胺MAPbI3钙钛矿材料碱性溶液,形成钙钛矿层(4)。
7.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
压印结构为凹陷或凸起的圆柱、三角锥或四角锥,压印结构呈矩形阵列排列,
压印结构的深度或高度为100nm~500nm,压印结构的最大直径为100nm~300nm。
8.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
在钙钛矿层(4)的上表面旋涂空穴传输材料,形成空穴传输层(5)。
9.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
在最后形成的电池外表面涂覆UV固化胶,在100℃的条件下压合10分钟,
在室温下冷却稳定后,对电池照射紫外线进行固化处理24小时。
10.根据权利要求3至9任一权利要求所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,
第一基底(1)和第二基底(7)均为玻璃基底;
第一电极(2)为FTO电极,第二电极(6)为银电极,厚度为100nm~200nm;
介孔层(3)的材料为TiO2,厚度为300nm~600nm;
钙钛矿层(4)的材料为CH3NH3PbI3,厚度为400nm~1000nm;
空穴传输层(5)的材料为Spiro-OMeTAD,厚度为200nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林化工学院,未经吉林化工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710677111.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择