[发明专利]一种压印式钙钛矿太阳能电池及该电池的制法在审

专利信息
申请号: 201710677111.X 申请日: 2017-08-09
公开(公告)号: CN107565021A 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 陈丽;刘冠辰;谢小银 申请(专利权)人: 吉林化工学院
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 代理人: 岳昕
地址: 132022 吉林省吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 压印 式钙钛矿 太阳能电池 电池 制法
【权利要求书】:

1.一种压印式钙钛矿太阳能电池,其特征在于,包括:由下至上依次排布并相互紧密接触的第一基底(1)、第一电极(2)、介孔层(3)、钙钛矿层(4)、空穴传输层(5)、第二电极(6)和第二基底(7),

钙钛矿层(4)表面设有凸起或凹陷的压印结构。

2.根据权利要求1所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池,其特征在于,

第一基底(1)和第二基底(7)均为玻璃基底;

第一电极(2)为FTO电极,第二电极(6)为银电极,厚度为100nm~200nm;

介孔层(3)的材料为TiO2,厚度为300nm~600nm;

钙钛矿层(4)的材料为CH3NH3PbI3,厚度为400nm~1000nm;

空穴传输层(5)的材料为Spiro-OMeTAD,厚度为200nm。

3.一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

首先,在覆有第一电极(2)的第一基底(1)上表面依次制备介孔层(3)和钙钛矿层(4);

然后,在钙钛矿层(4)的上表面进行压印,使钙钛矿层(4)表面形成凸起或凹陷的压印结构;

最后,在钙钛矿层(4)的上表面依次制备空穴传输层(5)、第二电极(6)和第二基底(7),形成一种压印式钙钛矿太阳能电池。

4.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,在步骤一前,首先对第一基底(1)和第二基底(7)进行清洗并烘干。

5.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

在覆有第一电极(2)的第一基底(2)上表面旋涂介孔材料,形成介孔层(3)。

6.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,在介孔层(3)上表面旋涂甲胺MAPbI3钙钛矿材料碱性溶液,形成钙钛矿层(4)。

7.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

压印结构为凹陷或凸起的圆柱、三角锥或四角锥,压印结构呈矩形阵列排列,

压印结构的深度或高度为100nm~500nm,压印结构的最大直径为100nm~300nm。

8.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

在钙钛矿层(4)的上表面旋涂空穴传输材料,形成空穴传输层(5)。

9.根据权利要求3所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

在最后形成的电池外表面涂覆UV固化胶,在100℃的条件下压合10分钟,

在室温下冷却稳定后,对电池照射紫外线进行固化处理24小时。

10.根据权利要求3至9任一权利要求所述的一种压印式钙钛矿太阳能电池的制法,其特征在于,

第一基底(1)和第二基底(7)均为玻璃基底;

第一电极(2)为FTO电极,第二电极(6)为银电极,厚度为100nm~200nm;

介孔层(3)的材料为TiO2,厚度为300nm~600nm;

钙钛矿层(4)的材料为CH3NH3PbI3,厚度为400nm~1000nm;

空穴传输层(5)的材料为Spiro-OMeTAD,厚度为200nm。

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