[发明专利]一种提高深紫外LED出光效率的方法在审

专利信息
申请号: 201710677423.0 申请日: 2017-08-09
公开(公告)号: CN107425097A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 甘志银;严晗 申请(专利权)人: 甘志银
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/22;H01L33/44
代理公司: 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙)11210 代理人: 唐忠庆
地址: 430000 湖北省武汉市武昌洪山*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 深紫 led 效率 方法
【权利要求书】:

1.一种提高深紫外LED出光效率的方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、在衬底(101)下表面(103)沉积一层氮化铝薄膜(104);

S2、对氮化铝薄膜(104)进行湿法腐蚀,获得特定的湿法腐蚀缺陷结构(105);

S3、在包含有湿法腐蚀缺陷结构(105)氮化铝薄膜(104)的衬底(101)上表面(102)外延生长深紫外LED外延薄膜(106);

S4、通过倒装芯片工艺制备深紫外LED芯片。

2.如权利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,衬底(101)可采用蓝宝石、碳化硅或者氮化铝等衬底,并且衬底是双面抛光的衬底;沉积方法可采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)、氢化物气相外延(HVPE)、等离体增强化学气相沉积(PECVD)或者溅射镀膜等方法。

3.如权利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法,其特征在于:在所述步骤S2中,通过湿法腐蚀将氮化铝薄膜腐蚀出内六角缺陷结构,湿法腐蚀方法可以采用磷酸、氢氧化钠溶液或者氢氧化钾溶液等进行。

4.如权利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法,其特征在于,在所述步骤S1中,氮化铝薄膜(104)厚度范围为200~5000nm。

5.如权利要求1所述的提高深紫外LED出光效率的方法,其特征在于,在所述步骤S2中,湿法腐蚀缺陷结构(105)的湿法腐蚀深度范围为200~5000nm。

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