[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201710677512.5 | 申请日: | 2017-08-09 |
公开(公告)号: | CN109390286B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 刘权;张露;韩珍珍;胡思明;朱晖 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L23/60;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种OLED阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成检测电路的同时,形成偏离所述检测电路的至少一层金属层;
在整个衬底基板上形成保护层,所述保护层覆盖着所述金属层;
对所述保护层进行图形化以暴露所述检测电路。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述衬底基板上还形成输入/输出端子,所述保护层暴露着所述输入/输出端子。
3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述衬底基板上设置有封装区;所述保护层仅覆盖着所述封装区内的金属层。
4.如权利要求3所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述封装区以及所述检测电路、输入/输出端子均位于非显示区内;
在所述非显示区内形成金属层与检测电路的同时,在所述显示区内形成金属层以及薄膜晶体管;
使所述保护层暴露着所述检测电路的同时,去除所述显示区内设置有接触孔的位置处的保护层,暴露出所述接触孔。
5.一种OLED阵列基板,其特征在于,采用如权利要求1~4中任一项所述的阵列基板的制造方法制造而成,所述阵列基板包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上检测电路,以及偏离所述检测电路的至少一层金属层;以及
保护层,所述保护层覆盖着所述金属层,并且暴露着所述检测电路;
所述衬底基板包括显示区和非显示区,在所述非显示区内和所述显示区内均设置有所述保护层;
所述非显示区包括绑定区,所述检测电路设置于所述绑定区内的输入端子与输出端子之间。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述保护层的材质为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和其组合中的一种。
7.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底基板上还形成有输入/输出端子,所述保护层暴露着所述输入/输出端子。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述检测电路与所述输入/输出端子组成绑定区,所述保护层暴露出的区域等于所述绑定区或大于所述绑定区。
9.一种OLED显示面板的制造方法,其特征在于,包含如权利要求1~4中任一项所述的阵列基板的制造方法,所述显示面板的制造方法包括:
制造阵列基板,并提供玻璃盖板;
在所述阵列基板或玻璃盖板的封装区涂布玻璃料,将阵列基板与所述玻璃盖板进行封装;
对所述玻璃料进行激光照射;
在绑定区内绑定驱动芯片。
10.一种OLED显示面板,其特征在于,采用如权利要求9所述的显示面板的制造方法制造而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造