[发明专利]激光诱导的跨尺度光刻方法有效
申请号: | 201710678161.X | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN107390476B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 魏劲松;魏涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 诱导 尺度 光刻 方法 | ||
1.一种基于激光诱导跨尺度的光刻方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
1)在基片(1)上用磁控溅射的方法镀上一层AgInSbTe相变薄膜(2),该相变薄膜(2)具有相变热阈值效应及热扩散特征,得到镀膜样品;
2)利用激光直写系统对所述的镀膜样品进行辐照,通过调节激光功率密度和刻写速度,改变到达所述的相变薄膜(2)上的聚焦光斑(3)的能量,从而调控相变热阈值区域(4)得到纳米尺度结构;调控热扩散区域(5)得到微米尺度结构,实现跨尺度光刻,得到光刻样品;
3)对所述的光刻样品置于硫化铵水溶液、四甲基氢氧化铵溶液或氢氧化钾溶液中进行湿法显影,以获得从微米到纳米尺度连续变化的跨尺度微纳结构。
2.根据权利要求1所述的基于激光诱导的跨尺度光刻方法,其特征在于所述的相变薄膜(2)的厚度在50nm到500nm之间。
3.根据权利要求1所述的基于激光诱导的跨尺度光刻方法,其特征在于所述的基片(1)为石英玻璃或硅片。
4.根据权利要求1所述的基于激光诱导跨尺度光刻方法,其特征在于所述的激光直写系统的激光束(6)输出的激光波长为300-800nm,透镜(7)的数值孔径为0.05~0.95,所述的激光功率密度的调节范围为1×108~1×1010W/m2,所述的刻写速度的调节范围为1~10m/s。
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