[发明专利]用于互连堆叠的半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201710678886.9 申请日: 2014-09-26
公开(公告)号: CN107579011A 公开(公告)日: 2018-01-12
发明(设计)人: 赵俊峰 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/488;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 邬少俊,王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 互连 堆叠 半导体器件 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体组件,包括:

第一管芯组件,所述第一管芯组件包括:

具有第一管芯上表面和第一管芯下表面的第一管芯,以及

从所述第一管芯横向延伸的第一边缘,其中所述第一边缘包括靠近所述第一管芯上表面的第一上边缘面和靠近所述第一管芯下表面的第一下边缘面,所述第一管芯下表面和所述第一下边缘面靠近所述半导体组件的输入和输出阵列;

所述第一管芯组件之上的第二管芯组件,所述第二管芯组件包括:

具有第二管芯上表面和第二管芯下表面的第二管芯,

在横向上延伸离开所述第二管芯的第二边缘,其中所述第二边缘包括靠近所述第二管芯上表面的第二上边缘面和靠近所述第二管芯下表面的第二下边缘面,以及

多个导电迹线,所述多个导电迹线朝着所述第二下边缘面向外延伸超出所述第二管芯;

其中至少所述第一上边缘面是所述第一管芯组件的最上部表面且所述第二下边缘面是所述第二管芯组件的最下部表面,并且所述多个导电迹线介入在所述第一上边缘面和所述第二下边缘面之间;以及

延伸穿过所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个的一个或多个过孔,所述一个或多个过孔通过所述多个导电迹线和所述第一边缘或所述第二边缘中的至少一个与所述第一管芯和所述第二管芯通信。

2.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第一边缘和所述第二边缘是被模制在相应的第一管芯和第二管芯周围的模制树脂。

3.根据权利要求1所述的半导体组件,包括形成在所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个管芯之上的电介质部分,所述电介质部分包括一个或多个边缘,所述一个或多个过孔延伸穿过所述电介质部分。

4.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述一个或多个过孔与所述第一管芯和所述第二管芯在横向上间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述多个导电迹线提供导电迹线的扇出结构,所述导电迹线延伸超出所述第二管芯的占用面积。

6.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述过孔是在将所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上之后,在相应的所述边缘中的至少一个中形成的钻出过孔。

7.根据权利要求1所述的半导体组件,包括包含所述第一管芯和所述第二管芯的多个管芯,边缘从所述多个管芯中的每一个管芯横向延伸,所述多个管芯构成堆叠结构,并且所述一个或多个过孔延伸穿过所述多个管芯的相应的边缘中的至少两个边缘。

8.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二管芯相对于所述第一管芯交错,所述第二管芯包括取决于所述交错的至少一个暴露的接合焊盘。

9.根据权利要求8所述的半导体组件,其中,所述一个或多个过孔穿过所述第一管芯的所述边缘延伸到所述第二管芯的所述至少一个暴露的接合焊盘。

10.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第一管芯组件包括另外多个导电迹线,所述另外多个导电迹线向外延伸超出所述第一管芯并且朝着所述第一边缘延伸。

11.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二管芯的所述第二下边缘面和所述第二管芯下表面齐平。

12.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二上边缘面位于所述第二管芯的所述第二管芯上表面的上方。

13.根据权利要求2所述的半导体组件,其中,所述模制树脂在所述第一管芯或所述第二管芯中的一个或多个之上延伸。

14.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述多个导电迹线的至少第一部分位于所述第二管芯之下,所述多个导电迹线的第二部分位于所述第二边缘之下。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710678886.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top