[发明专利]用于互连堆叠的半导体器件的方法在审
申请号: | 201710678886.9 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN107579011A | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 赵俊峰 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邬少俊,王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 互连 堆叠 半导体器件 方法 | ||
1.一种半导体组件,包括:
第一管芯组件,所述第一管芯组件包括:
具有第一管芯上表面和第一管芯下表面的第一管芯,以及
从所述第一管芯横向延伸的第一边缘,其中所述第一边缘包括靠近所述第一管芯上表面的第一上边缘面和靠近所述第一管芯下表面的第一下边缘面,所述第一管芯下表面和所述第一下边缘面靠近所述半导体组件的输入和输出阵列;
所述第一管芯组件之上的第二管芯组件,所述第二管芯组件包括:
具有第二管芯上表面和第二管芯下表面的第二管芯,
在横向上延伸离开所述第二管芯的第二边缘,其中所述第二边缘包括靠近所述第二管芯上表面的第二上边缘面和靠近所述第二管芯下表面的第二下边缘面,以及
多个导电迹线,所述多个导电迹线朝着所述第二下边缘面向外延伸超出所述第二管芯;
其中至少所述第一上边缘面是所述第一管芯组件的最上部表面且所述第二下边缘面是所述第二管芯组件的最下部表面,并且所述多个导电迹线介入在所述第一上边缘面和所述第二下边缘面之间;以及
延伸穿过所述第一边缘和所述第二边缘中的至少一个的一个或多个过孔,所述一个或多个过孔通过所述多个导电迹线和所述第一边缘或所述第二边缘中的至少一个与所述第一管芯和所述第二管芯通信。
2.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第一边缘和所述第二边缘是被模制在相应的第一管芯和第二管芯周围的模制树脂。
3.根据权利要求1所述的半导体组件,包括形成在所述第一管芯和所述第二管芯中的每一个管芯之上的电介质部分,所述电介质部分包括一个或多个边缘,所述一个或多个过孔延伸穿过所述电介质部分。
4.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述一个或多个过孔与所述第一管芯和所述第二管芯在横向上间隔开。
5.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述多个导电迹线提供导电迹线的扇出结构,所述导电迹线延伸超出所述第二管芯的占用面积。
6.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述过孔是在将所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上之后,在相应的所述边缘中的至少一个中形成的钻出过孔。
7.根据权利要求1所述的半导体组件,包括包含所述第一管芯和所述第二管芯的多个管芯,边缘从所述多个管芯中的每一个管芯横向延伸,所述多个管芯构成堆叠结构,并且所述一个或多个过孔延伸穿过所述多个管芯的相应的边缘中的至少两个边缘。
8.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二管芯相对于所述第一管芯交错,所述第二管芯包括取决于所述交错的至少一个暴露的接合焊盘。
9.根据权利要求8所述的半导体组件,其中,所述一个或多个过孔穿过所述第一管芯的所述边缘延伸到所述第二管芯的所述至少一个暴露的接合焊盘。
10.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第一管芯组件包括另外多个导电迹线,所述另外多个导电迹线向外延伸超出所述第一管芯并且朝着所述第一边缘延伸。
11.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二管芯的所述第二下边缘面和所述第二管芯下表面齐平。
12.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述第二上边缘面位于所述第二管芯的所述第二管芯上表面的上方。
13.根据权利要求2所述的半导体组件,其中,所述模制树脂在所述第一管芯或所述第二管芯中的一个或多个之上延伸。
14.根据权利要求1所述的半导体组件,其中,所述多个导电迹线的至少第一部分位于所述第二管芯之下,所述多个导电迹线的第二部分位于所述第二边缘之下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造