[发明专利]柔性基底、制造其的方法、显示设备和聚合物基底

说明书

提供一种柔性基底、制造其的方法、显示设备和聚合物基底。所述柔性基底包括聚合物基底。第一阻挡区的至少一部分形成在聚合物基底的中性面上。顶部区形成在第一阻挡区上方。底部区形成在第一阻挡区下方。第一阻挡区包括设置在聚合物基底的自由体积的至少一部分中的第一无机材料。第一阻挡区中的第一无机材料的密度大于顶部区或底部区中的第一无机材料的密度。

本申请要求于2016年8月11日提交的第10-2016-0102439号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种柔性基底，更具体地，涉及一种制造该柔性基底的方法以及采用该柔性基底的显示设备。

背景技术

显示设备可显示可视化数据。显示设备可包括包含显示区和非显示区的基底。在显示区中，栅极线和数据线可彼此电气地分开并且栅极线与数据线之间的交叉点可在显示区中限定多个像素区。在显示区中，薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极可连接到相应的像素区。在非显示区中，可布置有诸如将电信号传输到显示区的布线的各种导电层。

柔性显示设备可包括弯曲部或者减小的可折叠的非显示区的区域。柔性显示设备可包括柔性基底，该柔性基底包括具有相对高的机械柔性和热阻的一种或更多种聚合物有机材料。

发明内容

本发明的一个或更多个示例性实施例提供一种柔性基底。所述柔性基底可以能够减少或防止外部空气的渗透。本发明的一个或更多个示例性实施例提供一种制造柔性基底的方法，以及一种采用该柔性基底的显示设备。

根据本发明的示例性实施例，一种柔性基底包括聚合物基底。第一阻挡区的至少一部分形成在聚合物基底的中性面上。顶部区形成在第一阻挡区上方。底部区形成在第一阻挡区下方。第一阻挡区包括设置在聚合物基底的自由体积的至少一部分中的第一无机材料。第一阻挡区中的第一无机材料的密度大于顶部区或底部区中的第一无机材料的密度。

根据本发明的示例性实施例，第一阻挡区中的第一无机材料的密度可从第一阻挡区的中心厚度朝向聚合物基底的上表面和下表面逐渐减小。

根据本发明的示例性实施例，第一无机材料可包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。

根据本发明的示例性实施例，第一阻挡区的第一无机材料可填充第一阻挡区的自由体积的大约0.1％至大约50％，第一阻挡区的平均厚度可等于或小于聚合物基底的厚度的大约5％至大约50％。

根据本发明的示例性实施例，第一阻挡区的基本核心的位置未必与中性面的位置一致。

根据本发明的示例性实施例，聚合物基底的厚度可以为大约10μm至大约100μm，第一阻挡区的平均厚度可以为大约50nm至大约50μm。

根据本发明的示例性实施例，柔性基底可包括位于顶部区和底部区中的至少一个中的第二阻挡区。第二阻挡区包括设置在聚合物基底的自由体积的至少一部分中的第二无机材料，第二阻挡区的体积可小于第一阻挡区的体积。

根据本发明的示例性实施例，第二无机材料可以与第一无机材料相同。

根据本发明的示例性实施例，第一阻挡区的硬度大于顶部区和底部区的硬度。

根据本发明的示例性实施例，一种制造柔性基底的方法包括：在聚合物基底上方将第一反应物注入到聚合物基底的顶表面中并使第一反应物渗透到聚合物基底中。所述方法包括在聚合物基底下方将第二反应物注入到聚合物基底的底表面中并使第二反应物渗透到聚合物基底中。所述方法包括通过用无机材料填充聚合物基底的自由体积的至少一部分来形成阻挡区，所述无机材料经由聚合物基底内部的第一反应物和第二反应物的反应来形成。