[发明专利]具有微粒凹口的夹盘的晶圆台、处理工具与使用晶圆台的方法有效
申请号: | 201710680417.0 | 申请日: | 2017-08-10 |
公开(公告)号: | CN109390268B | 公开(公告)日: | 2023-02-24 |
发明(设计)人: | 陈永祥;周贤辉;何承益 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 微粒 凹口 圆台 处理 工具 使用 方法 | ||
提供一种具有多个微粒凹口的夹盘的晶圆台。在一些实施例中,夹盘包含多个凹槽与微粒凹口。多个凹槽的其中多者是径向地间隔设置且从该夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义凹槽的多个底面,且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开。微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的位置。尤其,微粒凹口配置于工件的工件对准记号之下。
技术领域
本揭露实施例是有关于一种晶圆台,且特别是有关于一种具有微粒凹口的夹盘的晶圆台。
背景技术
可以透过使用微影在工件上重复地形成图案来制造集成电路(integratedcircuit,IC)。微影是将图案从转印层(例如分划板)转印至工件的过程,且在制造集成电路的期间重复地执行。为了使集成电路正确地运作,最小化介于工件与转印层之间的对准偏差是很重要的。对准偏差的贡献者例如包含工件的变形与工具校准。
发明内容
本揭露提出一种晶圆台,包含多个凹槽与两个微粒凹口的夹盘。多个凹槽是径向地间隔设置且从该夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义凹槽的多个底面,且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开。两个微粒凹口分别被定位且被局限于夹盘的相对两侧之中,微粒凹口为长方体形或圆柱形。微粒凹口延伸至夹盘中且是从夹盘的顶面延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的夹盘的每个微粒凹口的表面。两个微粒凹口分别配置于工件的两个工件对准记号之下。
本揭露提出一种处理工具,包含具有多个第一突出部、多个第二突出部、第三突出部与多个微粒凹口的夹盘。多个第一突出部、多个第二突出部与第三突出部是径向地彼此间隔且径向地彼此独立。多个第一突出部、多个第二突出部与第三突出部定义夹盘的顶面且从夹盘的基面突出至夹盘的顶面。夹盘的基面是介于夹盘的顶面与夹盘的底面之间,且其中微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至介于夹盘的底面与夹盘的基面之间的位置。每个第一突出部在第一封闭路径中围绕夹盘的中心而连续地延伸。每个第二突出部在第二封闭路径中围绕第一突出部而连续地延伸且每个第二突出部不在微粒凹口处延伸。第三突出部在第三封闭路径中围绕第二突出部而连续地延伸。
本揭露提出一种使用晶圆台的方法,包含:提供具有多个凹槽与微粒凹口的夹盘以及在夹盘上定位工件。多个凹槽是径向地间隔设置,且凹槽从夹盘的顶面在夹盘内延伸至夹盘的基面。夹盘的基面分别定义多个凹槽的多个底面,且夹盘的顶面与夹盘的底面之间被夹盘的基面隔开,且其中微粒凹口从夹盘的顶面在夹盘内延伸至间隔于夹盘的基面与夹盘的底面之间的位置。工件具有在工件内的工件对准记号,且其中定位工件以使工件对准记号与微粒凹口直接地重叠。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
从以下结合所附附图所做的详细描述,可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是,根据业界的标准实务,各特征并未依比例绘示。事实上,为了使讨论更为清楚,各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
图1A是绘示具有微粒凹口的夹盘的微影系统的一些实施例的透视图;
图1B是绘示图1A的夹盘的一些实施例的上视图;
图2A与图2B是绘示图1A的夹盘的各种实施例的剖视图,其中微粒被卡在夹盘的微粒凹口中;
图3是绘示图1A的夹盘的其他一些实施例的上视图,其中夹盘具有凹沟与微粒凹口;
图4A是绘示具有晶粒与工件对准记号的工件的一些实施例的上视图;
图4B是绘示用于图4A的工件中的工件对准记号的一些实施例的布局图;
图4C是绘示具有晶粒与工件对准记号的工件的其他实施例的上视图;
图5是绘示图1A的夹盘的一些实施例的上视图,其中夹盘具有微粒凹口的重复图案;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造