[发明专利]制备高精度图案化的量子点发光层的方法及其应用

权利要求书

1.一种制备高精度图案化的量子点发光层的方法，其特征在于，包括：

(1)在衬底的一侧涂布反转光刻胶，并对所述反转光刻胶进行光刻处理，以便形成纵截面为倒梯形的镂空图案；

(2)对所述镂空图案处的所述衬底进行疏水处理，并沉积量子点薄膜；

(3)对所述量子点薄膜进行交联处理；

(4)剥离所述反转光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反转光刻胶的厚度为1.5～10微米。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述涂布反转光刻胶的步骤之后，所述光刻处理进一步包括：

(1-1)对所述涂布有反转光刻胶的衬底进行前烘处理；

(1-2)对所述退火处理后的反转光刻胶进行曝光处理；

(1-3)对所述曝光处理后的反转光刻胶进行反转烘处理；

(1-4)对所述反转烘处理后的反转光刻胶进行泛曝光处理；

(1-5)对所述泛曝光处理后的反转光刻胶进行显影处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述疏水处理采用的是六甲基二硅氧烷。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述交联处理使用的交联材料为双端氨基长链烷烃，优选为1,7-二氨基庚烷。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述交联处理进一步包括：

(3-1)将所述沉积有量子点薄膜的衬底浸入含有1,7-二氨基庚烷的正丁醇溶液中1～5分钟；

(3-2)将所述沉积有量子点薄膜的衬底取出并再放入正丁醇溶液中浸泡5～30s，之后使用氮气枪吹干，以便获得交联处理后的量子点薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离是在丙酮溶液中进行超声处理。

8.一种量子点彩膜，其特征在于，包括通过权利要求1～7任一项所述的方法制备的量子点发光层。

9.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括通权利要求1～7任一项所述的方法制备的量子点发光层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的量子点彩膜或权利要求9所述的量子点发光二极管。