[发明专利]用于蚀刻和沉积间迭代过渡的RF功率比切换的系统和方法

权利要求书

1.一种系统，其包括：

第一线性马达，其包括基于提供给所述第一线性马达的电流而被线性驱动的轴；

第一分离器支撑组件，其被配置为连接到所述第一线性马达的所述轴和匹配网络的第一电容器的杆，

其中所述第一线性马达被配置为致动所述杆以相对于所述第一电容器的第二电极移动所述第一电容器的第一电极，从而改变所述第一电容器的电容；以及

控制器，其连接到所述第一线性马达并且被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流来调节提供给等离子体处理室的第一射频反应器线圈的功率。

2.根据权利要求1所述的系统，其还包括：

所述匹配网络，其包括所述第一电容器，其中所述匹配网络被配置为从电源接收射频信号；以及

所述第一射频反应器线圈，其被配置为从所述匹配网络接收所述射频信号，并且基于所述第一电容器的所述电容将所述射频信号发送到所述等离子体处理室中。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述匹配网络是变压器耦合的电容调谐匹配网络。

4.根据权利要求1所述的系统，其还包括第二分离器支撑组件，所述第二分离器支撑组件被配置为连接到所述第一线性马达的所述轴以及所述匹配网络的第二电容器的第二杆，其中：

所述第一线性马达被配置为致动所述第二杆以相对于所述第二电容器的第二电极移动所述第二电容器的第一电极，从而改变所述第二电容器的电容；并且

所述控制器被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流来调节提供给所述等离子体处理室的第二射频反应器线圈的功率。

5.根据权利要求4所述的系统，其中：

所述控制器被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流来在第一射频功率比和第二射频功率比之间迭代地切换；并且

所述第一射频功率比和所述第二射频功率比是提供给所述第一射频反应器线圈的功率量相比于提供给所述第二射频反应器线圈的功率量的比率。

6.根据权利要求5所述的系统，其中所述控制器被配置为：

选择用于蚀刻处理的所述第一射频功率比；

选择用于沉积处理的所述第二射频功率比；并且

在(i)执行多个蚀刻工艺中的所选择的一个蚀刻工艺和(ii)执行多个沉积工艺中的所选择的一个沉积工艺之间迭代地切换，其中所述多个蚀刻工艺中的每一个的执行包括蚀刻处理，并且其中所述多个沉积工艺中的每一个的执行包括沉积处理。

7.根据权利要求4所述的系统，其还包括：

所述第一电容器；和

所述第二电容器，其中所述第二电容器平衡由所述第一电容器平衡施加在所述第一线性马达的所述轴上的力。

8.根据权利要求7所述的系统，其中由所述第一电容器施加在所述第一线性马达的所述轴上的所述力的量不同于由所述第二电容器施加在所述轴上的力的量。

9.根据权利要求1所述的系统，其还包括：

第二线性马达，其包括基于提供给所述第二线性马达的电流而被线性驱动的轴；以及

第二分离器支撑组件，其被配置成连接到所述第二线性马达的所述轴并且连接到所述匹配网络的第二电容器的第二杆，

其中，

所述第二线性马达被配置为致动所述第二杆以相对于所述第二电容器的第二电极移动所述第二电容器的第一电极，从而改变所述第二电容器的电容，

所述控制器连接到所述第二线性马达，并且被配置为通过调节提供给所述第二线性马达的所述电流来调节提供给所述等离子体处理室的第二射频反应器线圈的功率。

10.根据权利要求9所述的系统，其中：

所述控制器被配置为通过调节提供给所述第一线性马达的所述电流以及提供给所述第二线性马达的所述电流来在第一射频功率比和第二射频功率比之间迭代地切换；并且

所述第一射频功率比和所述第二射频功率比是提供给所述第一射频反应器线圈的功率量相比于提供给所述第二射频反应器线圈的功率量的比率。