[发明专利]有机电致发光器件

说明书

本发明涉及显示技术领域，提供一种有机电致发光器件。该有机电致发光器件包括空穴注入层，所述空穴注入层包括至少一种空穴注入材料以及掺杂在所述空穴注入材料中的至少一种自由基分子材料。通过在空穴注入层中掺杂至少一种自由基分子材料，由于空穴注入材料的深能级特性及其强烈的吸收电子能力，使得自由基分子材料上的单电子跃迁至空穴注入材料层的LUMO上，在空穴注入材料发生电荷转移，形成自由空穴，从而达到提高空穴注入层的电导率的目的，有效地降低空穴注入势垒，增强了空穴注入效率，进而提高了有机电致发光器件的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件。

背景技术

有机电致发光器件(英文全称Organic Light-Emitting Device，简称OLED)是主动发光器件，具有低功耗、色域广、体积更薄等优点，有望成为下一代主流照明和平板显示技术。

常用的OLED包括在基板上层叠设置的第一电极、有机发光层和第二电极。OLED在工作时，空穴通过第一电极被注入器件并且电子通过第二电极被注入器件。发光材料的最高已占分子轨道(HOMO)和最低未占分子轨道(LUMO)中的载流子结合从而形成激子，所述激子以光的形式释放其能量。

现有技术中，为提高有机电致发光器件的发光效率，通常在空穴传输材料中进行P型掺杂，以提高空穴传输材料的电导率，降低空穴的注入势垒。例如，现有技术中提供的一种有机电致发光显示器件，包括衬底基板，依次设置在衬底基板上的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，其中，空穴传输层的材料包括P型掺杂材料，P型掺杂的LUMO能级与空穴传输层空穴注入材料的HOMO能级较为接近，且能够提高空穴传输层的导电率，因此空穴传输层空穴注入材料的HOMO能级中电子能够跃迁到P型掺杂的LUMO能级，从而增加空穴传输层中自由空穴载流子的数量，提高空穴载流子的迁移率。

然而，上述技术方案中，由于有机半导体材料内部结构的无序性和杂质的存在，空穴传输层中存在大量的陷阱能级，载流子很容易被陷阱捕获，从而在半导体内部形成大量的空间电荷，进而形成限制电流。随着P型掺杂材料掺杂浓度的提高，陷阱能级捕获的空穴也就越多，限制电流越大，从而致使器件的电流密度下降，进而影响器件的发光效率。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的有机电致发光器件的发光效率不佳的缺陷。

鉴于此，本发明提供一种有机电致发光器件，包括空穴注入层，所述空穴注入层包括至少一种空穴注入材料以及掺杂在所述空穴注入材料中的至少一种自由基分子材料；所述自由基分子材料的SOMO能级高于所述空穴注入材料的LUMO能级。

可选地，所述空穴注入材料的LUMO能级小于或等于-5.5eV。

可选地，所述自由基分子材料的掺杂浓度不大于20wt％。

可选地，所述空穴注入层的厚度为不大于100nm。

可选地，所述自由基分子材料为：

其中，R₁～R₂₂为相同或不同的取代基，所述取代基为给电子基团。

可选地，所述R₁～所述R₂₂独立选自烷基、烯基、芳基、杂芳基、OR、SR、NR2，环烷基、PR2、环膦基、卤素基团中的一种；其中R选自氢基、烷基、芳基、含杂环芳基中的一种。

可选地，所述烷基选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、正已基、正庚基、正辛基中的一种；所述环烷基选自环丙基、环丁基、环戊基、环已基中的一种。

可选地，所述含杂环芳基选自呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲哚基、喹啉基中的一种。