[发明专利]垂直结构薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构薄膜晶体管，其包含有：

一基板；

一缓冲层，设置于该基板上，该缓冲层具有一表面，该表面具有一孔洞，该缓冲层于该孔洞内具有一侧壁及一底面；

一半导体层，设置于该缓冲层的该表面上，并于该侧壁上形成一垂直通道以及于该底面上形成一水平通道，该水平通道电性连接该垂直通道，其中该水平通道包含有：

位于该底面上的第一部分及第二部分，该第一部分及该第二部分沿不同方向延伸；以及

位于该孔洞外的第三部分，其中该第三部分实体连接该垂直通道的第一端，并且该第一部分实体连接该垂直通道的第二端及该第二部分；以及

一栅极电极，设置于该半导体层上。

2.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管，其中该半导体层具有二掺杂区，分别位于该半导体层的相对两侧，该栅极电极介于该二掺杂区之间。

3.如权利要求2所述的垂直结构薄膜晶体管，另包含有一源极电极与一漏极电极，分别连接于该二掺杂区。

4.如权利要求1所述的垂直结构薄膜晶体管，另包含有一栅极绝缘层，设置于该栅极电极与该半导体层之间。

5.一种垂直结构薄膜晶体管的制作方法，其包含下列步骤：

步骤S₁：准备一基板；

步骤S₂：形成一缓冲层于该基板上，该缓冲层具有一表面；

步骤S₃：形成一孔洞于该缓冲层的该表面上，该缓冲层于该孔洞内具有一侧壁以及一底面；

步骤S₄：形成一半导体层于该缓冲层的该表面上，并于该侧壁上形成一垂直通道以及于该底面上形成一水平通道，该水平通道电性连接于该垂直通道，其中该水平通道包含有：

位于该底面上的第一部分及第二部分，该第一部分及该第二部分沿不同方向延伸；以及

位于该孔洞外的第三部分，其中该第三部分实体连接该垂直通道的第一端，并且该第一部分实体连接该垂直通道的第二端及该第二部分；以及

步骤S₅：形成一栅极电极于该半导体层上。

6.如权利要求5所述的垂直结构薄膜晶体管的制作方法，其中步骤S₄与步骤S₅之间另包含有以下步骤：于该半导体层的相对两侧形成二掺杂区，该栅极电极形成于该二掺杂区之间。

7.如权利要求6所述的垂直结构薄膜晶体管的制作方法，其中分别于该半导体层的相对两侧形成该二掺杂区的步骤，另包含有以下步骤：形成一源极电极与一漏极电极，该源极电极与该漏极电极分别连接于该二掺杂区。

8.如权利要求5所述的垂直结构薄膜晶体管的制作方法，其中步骤S₄与步骤S₅之间另包含有以下步骤：形成一栅极绝缘层于该半导体层上，该栅极绝缘层介于该半导体层与该栅极电极之间。