[发明专利]一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件有效
| 申请号： | 201710682472.3 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107425071B | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;林育赐;谢驰;罗蕾;李佳驹;任敏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/092 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 粒子 辐照 能力 vdmos 器件 | ||
1.一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，包括第一导电类型半导体衬底(9)、位于第一导电类型半导体衬底(9)背面的金属化漏极(10)、位于第一导电类型半导体衬底(9)正面的第一导电类型半导体漂移区一(8)；第一导电类型半导体漂移区一(8)的正面还具有第一导电类型半导体漂移区二(11)和第一导电类型半导体漂移区三(12)，其中，第一导电类型半导体漂移区三(12)居中而第一导电类型半导体漂移区二(11)位于其两侧或者外围并与之相接触；所述第一导电类型半导体漂移区三(12)中具有第二导电类型半导体柱(13)，所述第一导电类型半导体漂移区三(12)的上、下表面均与所述第一导电类型半导体漂移区二(11)的表面齐平；第一导电类型半导体漂移区三(12)两侧的第一导电类型半导体漂移区二(11)中分别具有第二导电类型半导体体区(6)，第二导电类型半导体体区(6)中分别具有相互独立的第一导电类型半导体源区(5)和第二导电类型重半导体接触区(7)；第二导电类型半导体柱(13)、第一导电类型半导体源区(5)和第二导电类型重半导体接触区(7)三者均与金属化源极(1)相接触；栅介质层(3)位于第一导电类型半导体漂移区三(12)及其两侧或者外围的第一导电类型半导体漂移区二(11)、第二导电类型半导体体区(6)和部分第一导电类型半导体源区(5)的上表面，栅介质层(3)上表面是多晶硅栅电极(2)，多晶硅栅电极(2)与金属化源极(1)之间是绝缘介质层(4)；其特征在于：所述第二导电类型半导体柱(13)的上表面与第一导电类型半导体漂移区三(12)的上表面重合，且所述第二导电类型半导体柱(13)的深度小于第一导电类型半导体漂移区三(12)的深度；第一导电类型半导体漂移区一(8)及其内的第一导电类型半导体漂移区二(11)和第一导电类型半导体漂移区三(12)三者掺杂浓度相同，且第一导电类型半导体漂移区三(12)材料的禁带宽度小于第一导电类型半导体漂移区一(8)材料的禁带宽度，第一导电类型半导体漂移区一(8)材料的禁带宽度小于第一导电类型半导体漂移区二(11)材料的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，其特征在于，第一导电类型半导体为P型，第二导电类型半导体为N型。
3.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，其特征在于，第一导电类型半导体为N型，第二导电类型半导体为P型。
4.根据权利要求1所述的一种具有抗单粒子辐照能力的VDMOS器件，其特征在于，第一导电类型半导体或者所述第二导带类型半导体的材料为体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或者锗硅复合材料。
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