[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201710683971.4 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN107731868A | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 崔忠硕;曹尚焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 尹淑梅,刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
于2016年8月12日提交并且名称为“Organic Light Emitting Display Device(有机发光显示装置)”的第10-2016-0103262号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种有机发光显示装置,更具体地,涉及一种具有改善的显示品质的显示装置。
背景技术
有机发光显示装置是一种类型的平坦显示装置,其中,布置在多个像素中的每个像素上并且发光的有机发光二极管用于显示图像。这样的有机发光二极管包括阳极、阴极和位于阳极与阴极之间的有机发光层。
当电力信号被施加到有机发光二极管时,空穴通过阳极被供应到有机发光层,电子通过阴极被供应到有机发光层。有机发光层中的电子和空穴复合以产生激子,由于激子从激发态向基态跃迁而产生的能量使得从有机发光层产生光。
发明内容
实施例提供了一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基体基底、像素层、量子点层和薄膜包封部。像素层包括位于基体基底上的多个有机发光二极管。量子点层位于像素层上并包括量子点。薄膜包封部位于量子点层与像素层之间,并且密封像素层。
薄膜包封部包括第一无机膜和有机膜。第一无机膜具有均具有第一折射率的多个第一辅助膜和均具有与第一折射率不同的第二折射率的多个第二辅助膜。多个第二辅助膜可以在基体基底的厚度方向上与多个第一辅助膜交替地堆叠。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例,特征对本领域的技术人员来说将变得明显,在附图中:
图1A示出了根据实施例的有机发光显示装置的透视图;
图1B示出了沿图1A中的I-I'的剖视图;
图2A示出了图1A和图1B中的像素层中的第一像素的平面图;
图2B示出了沿图2A中的II-II'的剖视图;
图3A示出了图2B中的薄膜包封部中的第一无机膜的放大的剖视图;
图3B示出了根据针对第一无机膜的波长的透射率和反射率;
图3C示出了图2B中示出的薄膜包封部中的第二无机膜的放大的剖视图;
图3D示出了根据针对第二无机膜的波长的透射率和反射率;
图4A示出了图1A中的第一像素、第二像素和第三像素的放大的平面图;
图4B示出了沿图4A中的III-III'的剖视图;
图5A示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图;
图5B示出了图5A中的薄膜包封部中的第二无机膜的放大的剖视图;
图5C示出了根据针对第二无机膜的波长的透射率和反射率;
图6示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图;
图7示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图;
图8A示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的剖视图;以及
图8B示出了图8A中的第三无机膜的放大的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例;然而,示例实施例可以以不同的形式来实施并且不应解释为局限于在此阐述的实施例。相反,这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的,并且将向本领域的技术人员充分地传达示例性实施方式。
在附图中,为了图示的清楚,可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是,当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时,该层或元件可以直接在所述另一层或基底上,或者也可以存在中间层。此外,将理解的是,当层被称作“在”另一层“下方”时,所述层可直接在所述另一层下方,也可以存在一个或更多个中间层。另外,还将理解的是,当层被称作“在(位于)”两个层“之间”时,该层可以是在这两个层之间的唯一层,或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。
此外,尽管在此可以使用术语‘第一’、‘第二’等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一元件区分开。因此,当膜、区域、元件等被称作‘在’膜、区域、元件等‘上方’或‘上’时,它可以直接‘在’另一膜、区域、元件等‘上方’或‘上’,也可以存在中间膜、区域、元件等。
图1A是示出了根据实施例的有机发光显示装置100的透视图,图1B是沿图1A中的I-I'的剖视图。参照图1A和图1B,有机发光显示装置100包括基体基底BS1、像素层PL、薄膜包封部TFE、量子点层QL、覆盖层CL和窗口组件WA。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的