[发明专利]一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法

权利要求书

1.一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：建立抽取MOS衬底寄生电阻的等效测试结构，其中，所述等效测试结构包括通过叉指形式分别由金属层连出的源极、漏极以及位于源漏外围的衬底阱，任意两个源漏之间形成寄生区域，该等效测试结构中电阻包括源极衬底寄生电阻Rsb、漏极衬底寄生电阻Rdb以及寄生区域电阻Rdsb；源极数量ns等于漏极数量nd，源极和漏极的宽度均为lsd，相邻两个源极和漏极之间间距为l，源极和漏极的长度均为w，其中，l、w、ns和lsd为该等效测试结构的版图因子；

S02：取一组w、lsd、ns，变化l的尺寸，生成一系列等效测试结构，分别测试对应的等效测试结构阻值，以等效测试结构阻值为纵坐标，以l/w为横坐标，绘制曲线，并对该曲线进行线性拟合，该曲线在纵坐标的截距为Rsb+Rdb，等效测试结构中Rsb＝Rdb，从而分别确定Rsb、Rdb和Rdsb；

S03：变换版图因子w、lsd、ns，对每一组w，lsd，ns都按照S02中方法求得对应的Rsb、Rdb及Rdsb，根据等效测试结构中不同版图因子及其对应的阻值变化规律，建立Rsb、Rdb、Rdsb的寄生电阻模型。

2.根据权利要求1所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，所述寄生区域为STI区域。

3.根据权利要求2所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，STI区域的叉指数量ng＝2*ns-1。

4.根据权利要求1所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，所述寄生区域为栅极控制的沟道区域，对等效测试结构进行阻值测试时，扫描栅极电压使器件沟道偏置在耗尽区。

5.根据权利要求4所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，栅极的叉指数量ng＝2*ns-1。

6.根据权利要求3或5所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，Rdsb的寄生电阻模型为：其中，a、b、c、d为模型参数。

7.根据权利要求1所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，Rsb的寄生电阻模型为：其中，a、b、c、d为模型参数。

8.根据权利要求1所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，Rdb的寄生电阻模型为其中，a、b、c、d为模型参数。

9.根据权利要求1所述的一种MOS器件源漏与衬底间寄生电阻的建模方法，其特征在于，所述等效测试结构中源极和漏极的注入类型和MOS器件类型相反。