[发明专利]一种发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；

透明材料层，完全包覆所述LED芯片除电极之外的多个侧面，且不露出多个所述角部；

反光材料层，包围所述透明材料层外围；

定义所述透明材料层的粘滞系数为A，粘滞系数的范围为W（A），透明材料层的厚度为B、芯片的厚度为C、芯片侧面粗糙结构的粗糙度为D，要使得透明材料层能够完全包覆LED芯片的侧面，则粘滞系数范围W（A）与透明材料层的厚度B、芯片的厚度C、芯片侧面粗糙结构的粗糙度D满足关系式：W(A)∝B*D/C。

2.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构的粗糙度为0.01μm~2μm。

3.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构呈周期性或非周期性。

4.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构通过隐形激光切割或者表面改性工艺获得。

5.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片侧面具粗糙结构，用以增大完全覆盖所述芯片侧表面的透明材料层的粘滞系数的范围选择。

6.一种发光装置的制造方法，包括：

提供一波长转换材料层以及若干个LED芯片，其中所述LED芯片具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；

将若干个LED芯片与所述波长转换材料层贴合，所述LED芯片的电极远离波长转换材料层；

在所述波长转换材料层之上制作透明材料层并进行固化，完全包覆所述LED芯片除电极之外的侧表面，且不露出多个所述角部，定义所述透明材料层的粘滞系数为A，粘滞系数的范围为W（A），透明材料层的厚度为B、芯片的厚度为C、芯片侧面粗糙结构的粗糙度为D，要使得透明材料层能够完全包覆LED芯片的侧面，则粘滞系数范围W（A）与透明材料层的厚度B、芯片的厚度C、芯片侧面粗糙结构的粗糙度D满足关系式：W(A)∝B*D/C；

在所述透明材料层外围包覆反光材料层；

沿相邻的所述LED芯片之间的反光材料层，分离成若干个单元，即得到发光装置。

7.根据权利要求1所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：所述LED芯片侧面具有粗糙结构，用以增大芯片侧面与所述透明材料层的接触面积，从而增强芯片对透明材料的亲和性，提高透明材料在芯片侧面的润湿性能，进而使得透明材料层能够完全覆盖芯片侧表面。

8.根据权利要求1所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：所述LED芯片侧面具有粗糙结构，以增大完全覆盖所述芯片侧表面的透明材料层的粘滞系数的范围选择。

9.根据权利要求1所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：所述透明材料层的粘滞系数的范围介于1000~6000mPa·s。

10.根据权利要求1所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：所述透明材料层的固化过程中，采用阶梯温度逐渐升温进行固化。

11.根据权利要求10所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：所述阶梯温度逐渐升温工艺包括：先在50℃温度下持温15min，再在70℃温度下持温15min，最后在150℃温度下持温30min。

12.根据权利要求10所述的一种发光装置的制造方法，其特征在于：通过对固化温度的控制，将透明材料层的粘滞系数降至1000~1500mPa·s，并且在该粘滞系数的温度下停留10~60min，从而提高透明材料层的结构均匀性。