[发明专利]GeSn光电探测器在审

申请号：	201710686361.X	申请日：	2017-08-11
公开（公告）号：	CN107611192A	公开（公告）日：	2018-01-19
发明（设计）人：	张亮	申请（专利权）人：	西安科锐盛创新科技有限公司
主分类号：	H01L31/028	分类号：	H01L31/028;H01L31/105;H01L31/18
代理公司：	西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230	代理人：	刘长春
地址：	710065 陕西省西安市高新***	国省代码：	陕西;61
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摘要：
搜索关键词：	gesn 光电探测器
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【权利要求书】：

1.一种GeSn光电探测器，其特征在于，包括：Si衬底(11)以及设置于所述Si衬底(11)上的晶化Ge层(12)、GeSn层(13)及金属电极(14)；其中，所述晶化Ge层(12)包括水平方向依次排列的N型掺杂区(121)、i型区(122)和P型掺杂区(123)，所述GeSn层(13)设置在所述i型区(122)表面上，所述金属电极(14)设置于所述N型掺杂区(121)和所述P型掺杂区(123)之上。

2.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述晶化Ge层(12)包括Ge晶籽层和Ge主体层；其中，所述Ge晶籽层的厚度为40～50nm；所述Ge主体层的厚度为150～250nm。

3.根据权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，所述晶化Ge层(12)是所述Ge晶籽层和所述Ge主体层经过激光再晶化工艺形成的；其中，所述激光再晶化工艺的参数包括：激光波长为808nm，激光光斑尺寸10mm×1mm，激光功率为1.5kW/cm²，激光移动速度为25mm/s。

4.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述N型掺杂区的掺杂离子为P、掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3。

5.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述P型掺杂区的掺杂离子为B、掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述GeSn层(12)的厚度为150～200nm。

7.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述金属电极(14)材料为Cr或者Au。

8.根据权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，所述光电探测还包括设置于所述晶化Ge层(12)和所述GeSn层(13)表面的SiO₂钝化层(15)。

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