[发明专利]圆片级封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，所述圆片级封装结构的制备方法包括如下步骤：

1)提供一晶圆，所述晶圆内形成有半导体结构；

2)于所述晶圆的上表面形成重新布线层，所述重新布线层与所述半导体结构电连接；并在形成所述重新布线层的过程中或形成所述重新布线层后将得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；所述低温处理的温度为-273℃～-20℃；

3)于所述重新布线层的上表面形成凸点下金属层及焊球，所述焊球经由所述凸点下金属层与所述重新布线层电连接。

2.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述晶圆内形成的半导体结构包括CMOS电路及覆盖于所述晶圆上表面的第一钝化层，所述晶圆的上表面裸露出与所述CMOS电路电连接的连接焊垫。

3.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于上一步得到的结构的上表面形成第一介质层，并与所述第一介质层内形成第一互联窗口；

2-2)于所述第一互联窗口内及所述第一介质层的上表面形成图形化的金属互联层；

2-3)将步骤2-2)得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；

2-4)于低温处理后的所述第一介质层及图形化的所述金属互联层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层完全覆盖图形化的所述金属互联层。

4.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于上一步得到的结构的上表面形成第一介质层，并与所述第一介质层内形成第一互联窗口；

2-2)于所述第一互联窗口内及所述第一介质层的上表面形成图形化的金属互联层；

2-3)于所述第一介质层及图形化的所述金属互联层的上表面形成第二介质层，所述第二介质层完全覆盖图形化的所述金属互联层；

2-4)将步骤2-3)得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温。

5.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于上一步得到的结构的上表面形成第一介质层，并与所述第一介质层内形成第一互联窗口；

2-2)于所述第一互联窗口内及所述第一介质层的上表面形成图形化的金属互联层；

2-3)重复步骤2-1)～步骤2-2)至少一次；

2-4)将步骤2-3)得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；

2-5)于步骤2-4)得到的结构的上表面形成第二介质层，所述第二介质层完全覆盖图形化的所述金属互联层。

6.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于上一步得到的结构的上表面形成第一介质层，并与所述第一介质层内形成第一互联窗口；

2-2)于所述第一互联窗口内及所述第一介质层的上表面形成图形化的金属互联层；

2-3)将步骤2-2)得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；

2-4)重复步骤2-1)～步骤2-2)至少一次；

2-5)于步骤2-4)得到的结构的上表面形成第二介质层，所述第二介质层完全覆盖图形化的所述金属互联层。

7.根据权利要求1所述的圆片级封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于上一步得到的结构的上表面形成第一介质层，并与所述第一介质层内形成第一互联窗口；

2-2)于所述第一互联窗口内及所述第一介质层的上表面形成图形化的金属互联层；

2-3)将步骤2-2)得到的结构进行低温处理预设时间后恢复至室温；

2-4)重复步骤2-1)～2-3)至少一次；

2-5)于步骤2-4)得到的结构的上表面形成第二介质层，所述第二介质层完全覆盖图形化的所述金属互联层。