[发明专利]阵列基板及包含其的显示面板有效
申请号: | 201710687184.7 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN107507837B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 席克瑞;崔婷婷 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/167;G02F1/1685;G09F9/00 |
代理公司: | 11603 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 包含 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,所述阵列基板包括衬底基板、依次设置在所述衬底基板一侧的第一导电层和第二导电层,以及位于所述第一导电层与所述第二导电层之间的第一绝缘层,其特征在于,
所述第一导电层形成有第一引线以及第一连接部,所述第一连接部设置于所述第一引线的至少一侧,且所述第一连接部沿所述第一引线的延伸方向与所述第一引线连接;
所述第二导电层形成有第二引线以及第二连接部,所述第二连接部设置于所述第二引线的至少一侧,且所述第二连接部沿所述第二引线的延伸方向与所述第二引线连接;
所述第二连接部覆盖部分所述第一连接部;所述第二连接部覆盖所述第一连接部的部分通过多个过孔与所述第一连接部电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设置在所述第二导电层远离所述第一导电层一侧的第三导电层、设置在所述第二导电层与所述第三导电层之间的第二绝缘层;
所述第三导电层形成有第三连接部,所述第三连接部覆盖部分所述第一连接部与部分所述第二连接部;
所述第三连接部覆盖所述第一连接部的部分通过设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的多个过孔与所述第一连接部电连接,所述第三连接部覆盖所述第二连接部的部分通过设置在所述第二绝缘层中的多个过孔与所述第二连接部电连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一引线向所述衬底基板的正投影和所述第二引线向所述衬底基板的正投影位于同一直线上;
所述第一连接部包括第一子部与第二子部,所述第一子部与第二子部设置于所述第一引线的相异两侧,且所述第一子部和所述第二子部均沿所述第一引线的延伸方向与所述第一引线连接;
所述第三连接部包括第三子部与第四子部,所述第三子部覆盖部分所述第一子部;所述第四子部覆盖部分所述第二子部;
所述第三子部覆盖所述第一子部的部分通过多个过孔与所述第一子部电连接;
所述第四子部覆盖所述第二子部的部分通过多个过孔与所述第二子部电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二连接部包括第五子部与第六子部,所述第五子部与第六子部设置于所述第二引线的相异两侧,且所述第五子部和所述第六子部均沿所述第二引线的延伸方向与所述第二引线连接;
所述第三子部覆盖部分所述第五子部;所述第四子部覆盖部分所述第六子部;
所述第三子部覆盖所述第五子部的部分通过多个过孔与所述第五子部电连接;
所述第四子部覆盖所述第六子部的部分通过多个过孔与所述第六子部电连接。
5.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一引线与所述第二引线互相平行;所述第一连接部向所述衬底基板的正投影与所述第二连接部向所述衬底基板的正投影位于所述第一引线向衬底基板的正投影与所述第二引线向衬底基板的正投影之间;
所述第一连接部包括第一延伸线、第二延伸线和第一连接线,所述第一延伸线和所述第二延伸线互相平行,且所述第一延伸线的延伸方向与所述第一引线的延伸方向互相垂直,所述第一连接线连接在所述第一延伸线和所述第二延伸线之间;
所述第二连接部包括第三延伸线、第四延伸线和第二连接线,所述第三延伸线和所述第四延伸线互相平行,且所述第三延伸线的延伸方向与所述第二引线的延伸方向互相垂直,所述第二连接线连接在所述第三延伸线和所述第四延伸线之间;
所述第三连接部覆盖部分所述第一连接线及部分所述第二连接线;
所述第三连接部覆盖所述第二连接线的部分通过多个过孔与所述第二连接线电连接,且所述第三连接部覆盖所述第一连接线的部分通过多个过孔与所述第一连接线电连接。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的阵列基板,其特征在于,所述多个过孔向所述衬底基板的正投影与所述第一引线向所述衬底基板的正投影之间的最小距离大于2μm;
所述多个过孔向所述衬底基板的正投影与所述第二引线向所述衬底基板的正投影之间的最小距离大于2μm。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-6任意一项所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板为电泳显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的