[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于阵列基板制备技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的阵列基板制备方法包括：在基底上形成第一导电材料层；通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。

技术领域

本发明属于阵列基板制备技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

部分液晶显示装置的阵列基板中设有公共电极，公共电极上设有带过孔的钝化层，像素电极设于钝化层上，通过过孔与晶体管漏极连接。为形成以上结构，最直接的方法是分别通过光刻工艺形成公共电极、过孔、像素电极，但这样需要进行三次曝光(3次Mask)，工艺复杂。

发明内容

本发明至少部分解决现有的阵列基板制备工艺复杂问题，提供一种既可简化工艺，又可避免短路、断路、残留的阵列基板及其制备方法。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，包括：

在基底上形成第一导电材料层；

通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；

对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；

进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；

通过构图工艺形成第二导电结构，所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。

优选的是，所述第一导电结构为公共电极。

进一步优选的是，所述第二导电结构为像素电极。

优选的是，所述绝缘结构的厚度在0.5～2微米之间。

进一步优选的是，所述绝缘结构的厚度在1～1.5微米之间。

优选的是，所述退火的温度在220～250摄氏度之间，时间在20～30分钟之间。

优选的是，在形成绝缘结构和对第一导电材料层进行过刻蚀之间，还包括：

进行预退火。

进一步优选的是，所述预退火的温度在120～150摄氏度之间，时间在2～5分钟之间。

优选的是，所述通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构包括：

形成树脂层；

对树脂层进行曝光；

将曝光的或未曝光的树脂层除去，使剩余树脂层形成所述绝缘结构。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底，在远离所述基底的方向上依次设有第一导电结构、由树脂构成的绝缘结构、第二导电结构；其中，

所述第一导电结构覆盖且仅覆盖所述第一导电结构和第一导电结构周边的区域；

所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。

优选的是，所述第一导电结构为公共电极。