[发明专利]一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺有效
| 申请号： | 201710689654.3 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107507785B | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘文国;苏世杰;李强强;张玉前;周守亮 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 测试 pid 亲水性 隔离 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、沥干处理：对进行测试后的测试抗PID亲水性用片进行沥干；
在步骤S1中，将测试抗PID亲水性用片沥干至无水滴自由下落；
S2、浸泡处理：用水对S1中沥干后的测试抗PID亲水性用片的扩散面进行覆盖，然后将测试抗PID亲水性用片进行浸泡；
在步骤S2中，浸泡所用的水为纯水；
S3、酸洗处理：用酸液对S2中浸泡完成的测试抗PID亲水性用片进行酸洗；
S4、烘干处理：对S3中酸洗完成的测试抗PID亲水性用片进行烘干。
2.根据权利要求1所述的一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于：在步骤S3中，酸洗所用的酸液为氢氟酸溶液。
3.根据权利要求1所述的一种降低测试抗PID亲水性用片隔离的工艺，其特征在于：在步骤S4中，对测试抗PID亲水性用片进行烘干时同步通入氮气。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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