[发明专利]剥离方法和剥离装置有效
申请号: | 201710690608.5 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107768296B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 清原恒成 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 剥离 方法 装置 | ||
提供剥离方法和剥离装置,无论保护部件的树脂的硬度如何,都能容易地将附着于晶片的外周缘的树脂从晶片外周缘剥离。一种将保护部件(S)从晶片(W)剥离的方法,该保护部件是由在形成了探出部(S2a)的状态下借助树脂(S1)将膜(S2)粘固在晶片的一个面(Wa)上的情况下的树脂和膜构成的,该方法具有如下的工序:保持工序,使保护部件朝下而对晶片的另一个面(Wb)进行保持;外周缘附着树脂剥离工序,对保护部件的探出部(S2a)进行把持而将探出部向晶片的外周缘(Wd)的外侧拉拽,将附着于晶片的外周缘的树脂从晶片的外周缘剥离;以及整体剥离工序,在外周缘附着树脂剥离工序之后,将保护部件整体从晶片剥离。
技术领域
本发明涉及剥离方法和剥离装置,将保护部件从晶片剥离。
背景技术
在半导体晶片的制造工艺中,当对具有平坦面的晶片进行制作的情况下,例如,利用线切割机等将由硅等原材料构成的圆柱状的锭切断得较薄而得到圆板状的晶片。由于在该圆板状的晶片的两个面上存在起伏的情况较多,所以对切出的晶片实施磨削加工,即实施使旋转的磨削磨具与晶片的被线切割机切断的切断面抵接,从而将切断面的起伏去除而使其成为平坦的面的加工。
在进行磨削加工时,需要在晶片的一个面上粘贴保护带等来保护晶片。然而,在利用保护带对晶片的一个面进行保护的情况下,由于保护带的粘贴面的糊的厚度不够,所以在将保护带粘贴在晶片的一个面上时,以没有起伏的状态粘贴在晶片的一个面上。因此,在对晶片的另一个面进行了磨削之后,当将保护带从晶片的一个面剥离时,再次在晶片的另一个面上出现起伏,晶片的另一个面变成未能将起伏去除的状态。
因此,在进行磨削加工时,例如,如图10所示,在圆板状的晶片W的一个面Wa上利用液状树脂S1来形成保护部件。当将液状树脂S1推展开而使液状树脂S1凝固时,能够按照在晶片W的另一个面Wb上存在起伏的状态在晶片W的一个面Wa上形成保护部件。然后,通过对晶片W的另一个面Wb进行磨削,能够将晶片W的另一个面Wb的起伏去除。要想在晶片W上形成保护部件,例如将具有伸缩性且直径比晶片W的直径大的圆形膜S2载置在保护部件形成装置的保持工作台90的平坦的保持面90a上,从树脂提供装置91按照规定的量将液状的树脂S1提供到该膜S2上。该树脂S1例如具有因光(代表性的是紫外线)而硬化的性质。然后,利用保持单元92对晶片W的另一个面Wb进行吸引保持,将晶片W从上侧相对于液状树脂S1按压在配设成与晶片W的一个面Wa对置的膜S2上,由此,将液状树脂S1推展开而成为晶片W的一个面Wa整面被液状树脂S1覆盖的状态。接着,例如,从配设在保持工作台90的内部的紫外线照射机构93对液状树脂S1进行紫外线的照射而使液状树脂S1硬化,从而形成图11所示的保护部件S。并且,会形成膜S2从晶片W的外周缘Wd探出的探出部S2a。
然后,如图11所示,按照使未形成保护部件S的另一个面Wb为上侧的方式将晶片W载置在磨削装置94的卡盘工作台940的保持面上,使旋转的磨削磨轮941从晶片W的上方下降而一边使磨削磨具941a与晶片W的另一个面Wb抵接一边进行磨削。之后,通过剥离装置(例如,参照专利文献1)将保护部件S从晶片W剥离,再对受保护部件S保护的晶片W的一个面Wa进行磨削,由此,能够制作出两个面的起伏均被去除的成为平坦面的晶片W。
专利文献1:日本特开2012-151275号公报
当将液状树脂S1推展开而在晶片W的一个面Wa上形成保护部件S时,如图11所示,在晶片W的外周缘Wd上附着有液状树脂S1。例如,在上述专利文献1所记载的剥离装置中,通过对附着于晶片W的外周缘Wd的液状树脂S1施加按压力而将附着于晶片W的外周缘Wd的液状树脂S1从晶片W的外周缘Wd剥离。然而,很难对附着于晶片W的外周缘Wd的液状树脂S1进行准确地按压,并且,在硬化后的液状树脂S1具有伸缩性/弹力性的情况下,很难只通过对附着于晶片W的外周缘Wd的液状树脂S1进行按压便将液状树脂S1从晶片W的外周缘Wd剥离。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供剥离方法和剥离装置,无论保护部件的树脂的硬度如何,都能够容易地将附着于晶片的外周缘的树脂从晶片的外周缘剥离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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