[发明专利]一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法有效
| 申请号： | 201710692556.5 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN107546144B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张晓朋;李翠双;魏双双;张建旗;尚琪 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 申超平 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 pecvd 镀膜 效果 检测 方法 | ||
1.一种硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：
将工艺腔室各单管的硅烷和氨气的比例调整为一致，所述工艺腔室包括多个单管；
将工艺腔室第一部分单管的硅烷流量设定为第一流量值，将工艺腔室第二部分单管的硅烷流量设定为第二流量值，将工艺腔室各单管的氨气流量设定为第三流量值；
将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室；
将盛放硅片的石墨舟在工艺腔室中停留预设时长，工艺腔室的各单管对所述硅片进行镀膜；
将盛放硅片的石墨舟以第二预设速度传出工艺腔室；
对所述硅片的镀膜进行测量，并根据镀膜测量结果确定工艺腔室各单管的镀膜效果。
2.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述将硅片放在石墨舟中，以第一预设速度进入工艺腔室之前，还包括：
将所述工艺腔室的微波功率设定为预设功率值；
根据预设压力值范围设置所述工艺腔室的压力；
根据预设温度值范围设置所述工艺腔室的温度。
3.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述对所述硅片的镀膜进行镀膜效果的测量，包括：
对所述硅片的镀膜的厚度进行测量；
对所述硅片的镀膜的折射率进行测量；
根据测量得到的所述硅片的镀膜的厚度和折射率，确定所述硅片的镀膜测量结果。
4.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第一流量值的范围为150标准毫升/分钟～180标准毫升/分钟。
5.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第二流量值的范围为90标准毫升/分钟～110标准毫升/分钟。
6.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述工艺腔室中单管的数量为4根、6根或8根。
7.根据权利要求6所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，当工艺腔室中单管的数量为6根时，所述第一部分单管为工艺腔室的前3根单管，所述第二部分单管为工艺腔室的后3根单管。
8.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，第三流量值的范围为300标准毫升/分钟～350标准毫升/分钟。
9.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述第一预设速度的范围和第二预设速度范围均为1500厘米/分钟～2000厘米/分钟。
10.根据权利要求1所述的硅片PECVD镀膜效果的检测方法，其特征在于，所述预设时长为1分30秒～2分30秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
