[发明专利]一种硅片扩散装置及硅片插片方法在审
申请号: | 201710693870.5 | 申请日: | 2017-08-14 |
公开(公告)号: | CN107527971A | 公开(公告)日: | 2017-12-29 |
发明(设计)人: | 伊凡·裴力林;朱太荣;刘照安;徐大超;谢越森;孟科;庞爱锁 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67;H01L21/223;H01L21/677 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司44384 | 代理人: | 彭西洋,苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 扩散 装置 方法 | ||
1.一种硅片扩散装置,其特征在于,包括进气管、炉管、炉门、支架、排气管、石英舟;所述进气管、炉门分别设置在炉管的两端;所述石英舟设置在支架上侧,且两者均设置在炉管内部;所述排气管一端设置在炉管的内部,另一端由炉管内向外延伸;所述石英舟包括若干垂直于支架设置的石英棒;所述每一石英棒均开设若干开口朝内的卡槽,且卡槽开口长度方向与支架所在水平面平行。
2.根据权利要求1所述的硅片扩散装置,其特征在于,所述石英棒包括四个,且四石英棒上的卡槽数量、位置一一对应;所述四石英棒分别两两设置于与进气管相邻的两侧。
3.根据权利要求2所述的硅片扩散装置,其特征在于,所述卡槽沿垂直于支架所在水平面的宽度大于两硅片的厚度总和。
4.根据权利要求3所述的硅片扩散装置,其特征在于,所述每一石英棒中的两两卡槽形成间隙。
5.一种硅片插片方法,其特征在于,该方法是将背靠背水平叠放的两硅片沿权利要求1-4任一项所述的卡槽方向平行插入所述卡槽内。
6.根据权利要求5所述的硅片插片方法,其特征在于,所述进气管的气流沿平行于硅片放置方向从卡槽间隙流过,且分别从石英棒相邻的硅片两侧流入和流出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的