[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

提供一种鳍式场效晶体管装置及其形成方法，此方法包含形成第一介电层于晶体管之上，此方法也包含形成第二介电层于第一介电层之上，此方法更包含在第二介电层内形成第一开口，以露出晶体管的栅极电极的至少一部分，此方法还包含在第一介电层内形成第二开口，以露出晶体管的源极/漏极区的至少一部分，第二开口与第一开口相连，且第一开口在第二开口之前形成，此方法还包含在第一开口和第二开口内形成电连接器。

技术领域

本发明实施例有关于半导体技术，特别有关于鳍式场效晶体管装置及其形成方法。

背景技术

在目前半导体装置缩小化的制程中，为了减少因电容效应在信号传播上的电阻电容(resistive-capacitive，RC)延迟，希望采用低介电常数(low-k)介电材料作为导电互连之间的金属间及/或层间介电层。如此一来，介电层的介电常数愈低，邻近的导线的寄生电容愈低，且集成电路(integrated circuit，IC)的电阻电容延迟也愈低。

然而，目前被认为或用来作为低介电常数介电材料的材料并不理想。尤其是依据其介电常数值选择材料，且特别是依据其低介电常数值选择材料时，其它特性，例如材料的硬度或强度可能在半导体制造过程中的使用并不理想。如此一来，需要改善使用低介电常数介电材料的制程。

发明内容

根据一些实施例，提供半导体装置的形成方法。此方法包含形成第一介电层于晶体管上；形成第二介电层于第一介电层上；在第二介电层内形成第一开口，以露出晶体管的栅极电极的至少一部分；在第一介电层内形成第二开口，以露出晶体管的源极/漏极区的至少一部分，其中第二开口与第一开口相连，且第一开口在第二开口之前形成；以及在第一开口和第二开口内形成电连接器。

根据另一些实施例，提供半导体装置的形成方法。此方法包含形成鳍式场效晶体管，鳍式场效晶体管包含栅极结构和多个源极/漏极区；形成第一介电层于鳍式场效晶体管之上；将第一介电层的顶面和栅极结构的顶面平坦化；形成第二介电层于第一介电层和栅极结构之上；蚀刻第二介电层，以形成第一开口，第一开口露出栅极结构的栅极电极的至少一部分和露出覆盖这些源极/漏极区中的一个的第一介电层的一部分；经由第一开口蚀刻第一介电层，以露出这些源极/漏极区中的那一个的至少一部分；以及在第一介电层和第二介电层内形成电连接器，电连接器接触栅极电极和这些源极/漏极区中的那一个的该部分。

根据又另一些实施例，提供半导体装置。此装置包含晶体管，晶体管包含栅极结构和多个源极/漏极区。此装置亦包含第一介电层沿着栅极结构和这些源极/漏极区延伸。此装置也包含第二介电层覆盖在第一介电层上。此装置更包含电连接器设置在第一介电层和第二介电层内，电连接器接触栅极结构和这些源极/漏极区中的一个，其中第一介电层在电连接器和这些源极/漏极区中的那一个的界面与电连接器和栅极结构的界面之间延伸，且其中由电连接器和栅极结构的该界面与栅极结构的栅极电极的侧壁所形成的角度大抵上是直角。

附图说明

为了让本发明实施例的各个观点能更明显易懂，以下配合所附附图作详细说明。应该注意，根据工业中的标准范例，各个部件(features)未必按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是根据一些实施例所绘示的鳍式场效晶体管装置的透视图。

图2到图6是根据一些实施例所绘示的形成鳍式场效晶体管装置的各个中间阶段的剖面示意图。

图7A-7C、图8A-8C、图9A-9C、图10A-10C、图11A-11C、图12A-12C、图13A-13C、图14A-14C、图15A-15C、图16A-16C、图17A-17C、图18A-18C、图19A-19C、图20A-20C、图21A-21C、图22A-22C、图23A-23C、图24A-24C、图25A-25C及图26A-26C图是根据一些实施例所绘示的形成鳍式场效晶体管装置的各个中间阶段的剖面示意图。

【符号说明】