[发明专利]低杂散电感衬底及其功率半导体模块

权利要求书

1.一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述衬底(1)包括多个金属敷层(10～13)及其上安装的多个功率半导体芯片(21,22)，具体包括：

第一金属敷层(10)，第一功率半导体芯片(21)安装在所述第一金属敷层上(10)；

第二金属敷层(11)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)的反向上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(31)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；

第三金属敷层(12)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)上与第一金属敷层(10)相邻，并且通过接合装置(32)与第一金属敷层(10)上的第一功率半导体芯片(21)相连；

第三金属敷层(12)，第二功率半导体芯片(22)安装在所述第三金属敷层(12)上；第四金属敷层(13)，布置于第一金属敷层(10)旁，在第二方向(52)上与第三金属敷层(12)相邻，并且通过接合装置(33)与位于第三金属敷层(12)上的第二功率半导体芯片(22)相连。

2.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述的第二方向(52)和第一功率半导体芯片(21)的安装布置方向一致。

3.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述第一金属敷层(10)在第一方向(51)和第一方向(51)的反向上有突出于第三金属敷层(12)和第四金属敷层(13)的第一延伸结构，并且第一延伸结构突出于第三金属敷层(12)和第四金属敷层(13)的部分再沿第二方向(52)向第三金属敷层(12)和第四金属敷层(13)延伸形成第二延伸结构。

4.根据权利要求3所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述的第一方向(51)和第一功率半导体芯片(21)的安装布置方向相垂直。

5.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：相邻两个第一功率半导体芯片(21)之间或者相邻两个第二功率半导体芯片(22)之间的间距(61)范围为1～2.5mm，沿第一方向(51)上第一金属敷层(10)边缘与其最近的第一功率半导体芯片(21)之间的间距(62)大于零且小于芯片自身宽度，沿第一方向(51)上第三金属敷层(12)边缘与其最近的第二功率半导体芯片(22)之间的间距(62)大于零且小于芯片自身宽度。

6.根据权利要求3所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述衬底(1)包含用于输入和输出功率电流的若干组功率触点(41,42,43)，第一组功率触点(41)位于第一金属敷层(10)的第二延伸结构上，第二组功率触点(42)位于第二金属敷层(12)上，第二组功率触点(42)与第一组功率触点(41)连线平行于第一方向(51)，第三组功率(43)触点位于第四金属敷层(13)上。

7.根据权利要求1所述的一种低杂散电感衬底，其特征在于：所述接合装置(31,32,33)为金属材质连接线或带状金属连接件。

8.一种功率半导体模块，包含至少一个如上述权利要求1-7任一所述的衬底(1)。