[发明专利]一种多晶硅薄膜的制备方法及其产物和包含该多晶硅薄膜的太阳能电池在审
| 申请号： | 201710696833.X | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107611005A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 闫宝杰;叶继春;曾俞衡;高平奇;廖明墩;王丹;童慧;韩灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/20;H01L31/0368 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙)33228 | 代理人： | 杨秀芳 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜 制备 方法 及其 产物 包含 太阳能电池 | ||
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：(a)沉积非晶硅薄膜；(b)采用脉冲光照射上述非晶硅薄膜，使其晶化。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述脉冲光的脉冲宽度为100-1000微秒，处理次数为1-10次，脉冲光处理时的衬底温度为50-550℃。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述脉冲光来自于氙灯。
4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺杂非晶硅薄膜。
5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述掺杂非晶硅薄膜为硼掺杂非晶硅薄膜或磷掺杂非晶硅薄膜。
6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜的厚度为5-250nm。
7.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述(b)步骤中，在脉冲光照射之前，还包括衬底预热步骤，预热温度为100-400℃，预热时间为1-10min。
8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述(b)步骤中，在脉冲光和非晶硅薄膜之间设有短波滤波片。
9.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，在所述短波滤波片和非晶硅薄膜之间设有柱状聚光镜。
10.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜通过权利要求1-9任一项所述的制备方法所得。
11.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包含权利要求10所述的多晶硅薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
