[发明专利]可调电磁混合耦合滤波器

说明书

本发明揭示了一种可调电磁混合耦合滤波器，包括腔体和谐振柱，谐振柱固定于腔体内且其产生的谐振频率可调；相邻的两根谐振柱之间设置有容性耦合结构和感性耦合结构，且容性耦合结构的容性耦合量及感性耦合结构的感性耦合量大小可调；两种耦合结构同时存在，共同构成电磁混合耦合结构，补偿结构连接两个不相邻的谐振柱，其在不相邻的两个谐振柱之间产生容性和/或感性耦合。本发明能够在较大范围内调节通带近端传输零点的位置，使其更靠近通带，从而提高近端带外抑制，同时改善带内回波和插损指标。

技术领域

本发明涉及一种电磁混合耦合滤波器，尤其是涉及一种可修正传输零点位置的可调电磁混合耦合滤波器。

背景技术

电磁混合耦合技术是指利用相邻谐振腔之间耦合路径上同时存在的电耦合和磁耦合产生传输零点从而提高滤波器带外抑制的方法。理论上，N阶滤波器最多可具有N-1组电磁混合耦合，产生N-1个传输零点，远多于采用交叉耦合技术或源-负载耦合技术设计的N阶滤波器。

现有的电磁混合结构其传输零点的频率均与其相邻的谐振器频率相关，当滤波器通带较宽时，难以将传输零点集中于通带附近，即无法在通带近端实现较高的带外抑制。

另有国际申请号为PCT/EP2015/065916A1的专利文献中公开了一种同轴腔滤波器，其通过在非相邻导体之间设置电感交叉耦合，实现在不需要在非相邻导体之间提供直接欧姆连接的旁路连接器情况下，提供一个或多个传输节点。但是上述专利技术仍然存在下述缺陷：1、体积大；2、容性耦合与谐振频率都与谐振柱高度相关，难以单独调谐；3、部分尺寸比较敏感，对加工精度要求较高。

另有专利申请号为CN200810027449.1中公开了一种可控电磁混合耦合同轴腔滤波器，用只具有主耦合路径的同轴腔滤波器实现了椭圆函数滤波特性，但是它具有以下缺陷：1、谐振柱需要电容加载降低频率，体积较大；2、采用介质基片恶化了系统的互调指标；3、耦合组件安装在谐振柱顶端，不易调节。

因此，需要研究一种新型的电磁混合耦合滤波器，来解决上述背景技术中所涉及的技术缺陷。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种可调电磁混合耦合滤波器，通过增加耦合补偿结构，以改善电磁混合耦合滤波器性能。

为实现上述目的，本发明提出如下技术方案：一种可调电磁混合耦合滤波器，包括腔体、至少三根谐振柱、至少一容性耦合结构、至少一感性耦合结构和补偿结构，所述谐振柱固定于腔体内且其产生的谐振频率可调；相邻的两根谐振柱之间设置有容性耦合结构和感性耦合结构，且容性耦合结构的容性耦合量及感性耦合结构的感性耦合量大小可调；两种耦合结构同时存在，共同构成电磁混合耦合结构，所述补偿结构连接两个不相邻的所述谐振柱，其在不相邻的两个谐振柱之间产生容性和/或感性耦合。

优选地，所述腔体为一封闭的金属腔体，其包括顶部腔体壁和底部腔体壁，所述谐振柱竖直固定于腔体的所述底部腔体壁上，且谐振柱的顶端与腔体的顶部腔体壁之间留有间隙。

优选地，所述腔体的顶部腔体壁上固定有多个频率调螺，每个所述频率调螺对应一个谐振柱，每根所述谐振柱通过对应的频率调螺调整其谐振频率。

优选地，所述容性耦合结构包括第一容性耦合件和容性耦合调螺，所述第一容性耦合件连接相邻的两根谐振柱，且与谐振柱绝缘连接；所述容性耦合调螺固定于腔体的顶部腔体壁上且与第一容性耦合件相对。

优选地，所述第一容性耦合件与谐振柱之间设置有第一绝缘件，所述第一容性耦合件通过所述第一绝缘件与谐振柱之间绝缘连接。

优选地，所述第一容性耦合件靠近谐振柱的顶端，且相邻两个所述第一容性耦合件上、下错位分布，或前、后错位分布。

优选地，所述感性耦合结构包括感性耦合导体和感性耦合调螺，所述感性耦合导体位于相邻两根谐振柱之间的底部，所述感性耦合调螺设置于所述感性耦合导体上。