[发明专利]使用有机配体的混合物制备纳米晶体

权利要求书

1.一种制备半导体纳米晶体群的方法，包括：

混合多个半导体纳米晶体核、至少一种溶剂、第一半导体壳前体、第二半导体壳前体和至少两种不同的含氧酸化合物以提供反应混合物，其中所述第一半导体壳前体和所述第二半导体壳前体不同，所述第一半导体壳前体选自含第2、12、13和14族元素的化合物，并且所述第二半导体壳前体选自含第2、12、13、14、15和16族元素的化合物，其中所述至少两种含氧酸化合物包括作为第一化合物的乙基膦酸和作为第二化合物的十四烷基膦酸，并且所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于0.5%；以及

将所述反应混合物加热足以在至少一个核上诱导形成半导体壳层的时间段，由此产生半导体纳米晶体群。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

首先将所述多个半导体纳米晶体核与所述至少一种溶剂和所述至少两种不同的含氧酸化合物混合；以及

接着加入所述第一半导体壳前体和第二半导体壳前体。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

首先将所述多个半导体纳米晶体核与所述至少一种溶剂混合；以及

接着加入所述第一半导体壳前体和第二半导体壳前体以及至少两种不同的含氧酸化合物。

4.根据权利要求1、2或3所述的方法，其中所述第一壳前体和第二壳前体按层添加交替加入。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述半导体纳米晶体群表现出的量子产率大于约70%。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于2%。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于5%。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数为0.5%至20%。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数为2%至20%。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数为5%至15%。

11.根据权利要求1所述的方法，还包括在群中的每个半导体纳米晶体上施加亲水性外覆层，使得所述纳米晶体可分散在水性介质中。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法制备的半导体纳米晶体群。

13.一种半导体纳米晶体群，其中所述群中的每个纳米晶体包含：

a) 半导体核；

b) 设置在所述半导体核上的半导体壳层；和

c) 至少两种不同的含氧酸化合物，其中所述至少两种含氧酸化合物包括作为第一化合物的乙基膦酸和作为第二化合物的十四烷基膦酸；

其中所述核和/或壳层包含第II-VI族、第II-VI-VI族、第III-V族、第III-III-V族、第III-V-V族或第II-II-VI族的半导体材料，并且所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于0.5%。

14.根据权利要求13所述的半导体纳米晶体群，其中所述群中的每个纳米晶体还包括在半导体壳层上的亲水性外覆层，使得所述纳米晶体可分散在水性介质中。

15.根据权利要求13所述的半导体纳米晶体群，其中所述半导体纳米晶体群中的每个纳米晶体与生物分子、细胞或药物缔合。

16.根据权利要求13-15中任一项所述的半导体纳米晶体群，其中所述半导体纳米晶体群表现出的量子产率大于70%。

17.根据权利要求13所述的半导体纳米晶体群，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于2%。

18.根据权利要求13所述的半导体纳米晶体群，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数大于5%。

19.根据权利要求13所述的半导体纳米晶体群，其中所述第一化合物相对于含氧酸化合物总摩尔数的摩尔分数为0.5%至20%。