[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710699746.X | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107658314B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 胡军;赵祥辉;曾最新;章诗;陈保友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578;H01L27/11575;H01L27/11551;H01L27/11548 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括台阶状的阶梯结构，所述制造方法包括以下步骤：
光刻胶涂覆：使用光刻胶对所述半导体器件进行涂覆；
微刻：按照预定标准对光刻胶的边缘轮廓进行微刻；
刻蚀：逐级对阶梯结构中的每一级阶梯进行刻蚀直至完成阶梯结构的刻蚀，其特征在于，所述的预定标准是指光刻胶的边缘轮廓的形状为阶梯底部无尖角，从而有效避免光刻胶侧壁在刻蚀过程中产生的聚合物的不均匀附着的微凸形状。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的微刻是通过增大光刻曝光机的曝光能量来实施的。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的微刻是通过延长光刻曝光机的镜头曝光时间来实施的。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的制造方法制造的半导体器件。
5.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括台阶状的阶梯结构，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：
光刻胶涂覆：使用光刻胶对所述半导体器件进行涂覆；
微刻：按照预定标准对光刻胶的边缘轮廓进行微刻；
轮廓检测：在阶梯结构中的每一级阶梯的光刻胶微刻工艺完成后，对光刻胶轮廓进行检测；
再次微刻：当阶梯的边缘轮廓未达到预定标准时，对未达到预定标准的阶梯及其下一级阶梯进行再次微刻；
重复轮廓检测步骤与再次微刻步骤，直至光刻胶的边缘轮廓达到预定标准为止；
刻蚀：当阶梯的光刻胶轮廓达到预定标准时，逐级对阶梯结构中的每一级阶梯进行刻蚀直至完成阶梯结构的刻蚀，其特征在于，所述的预定标准是指光刻胶的边缘轮廓的形状为阶梯底部无尖角，从而有效避免光刻胶侧壁在刻蚀过程中产生的聚合物的不均匀附着的微凸形状。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述的微刻或再次微刻是通过增大光刻曝光机的曝光能量来实施的。
7.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述的微刻或再次微刻是通过延长光刻曝光机的镜头曝光时间来实施的。
8.根据权利要求5-7中的任一项所述的制造方法制造的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
