[发明专利]一种栅极双重曝光图案化方法

权利要求书

1.一种栅极双重曝光图案化方法，适用于对一复合结构进行处理以得到栅极，所述复合结构包括由下至上依次设置的衬底、栅极层、硬掩膜层及第一平坦化层；其特征在于，所述方法包括：

步骤S1、利用具有第一光刻图案的第一光阻层对所述第一平坦化层和所述硬掩膜层进行刻蚀以将所述第一光刻图案转移至所述硬掩膜层，所述第一光刻图案对应切线；

步骤S2、去除所述第一平坦化层后于所述硬掩膜层的上方形成第二平坦化层；

步骤S3、利用具有第二光刻图案的第二光阻层对所述第二平坦化层和所述硬掩膜层进行刻蚀以将所述第二光刻图案转移至所述硬掩膜层，所述第二光刻图案对应栅氧线；

步骤S4、去除所述第二平坦化层；

步骤S5、利用所述硬掩膜层对所述栅极层进行刻蚀以形成栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述栅极层的材质为多晶硅或非晶态的硅。

3.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为单层薄膜结构，所述硬掩膜层的形成方法具体包括：

步骤a1、利用化学气相沉积方法于所述栅极层的上方沉积二氧化硅或氮氧化硅以形成所述硬掩膜层。

4.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为双层薄膜结构，所述硬掩膜层的形成方法具体包括：

步骤b1、利用化学气相沉积方法于所述栅极层的上方依次沉积二氧化硅及氮氧化硅以形成所述硬掩膜层。

5.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为三层薄膜结构，所述硬掩膜层的形成方法具体包括：

步骤c1、利用化学气相沉积方法于所述栅极层的上方依次沉积二氧化硅、氮氧化硅、二氧化硅以形成所述硬掩膜层。

6.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述硬掩膜层为三层薄膜结构，所述硬掩膜层的形成方法具体包括：

步骤d1、利用化学气相沉积方法于所述栅极层的上方依次沉积氮氧化硅、二氧化硅、氮氧化硅以形成所述硬掩膜层。

7.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述第一平坦层为无定型碳薄膜或旋涂有机绝缘层或旋涂非晶碳层。

8.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述第二平坦层为无定型碳薄膜或旋涂有机绝缘层或旋涂非晶碳层。

9.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述步骤S1中，采用193nm浸润式光刻工艺或极紫外光刻工艺或纳米压印光刻工艺进行刻蚀。

10.根据权利要求1所述的栅极双重曝光图案化方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用193nm浸润式光刻工艺或极紫外光刻工艺或纳米压印光刻工艺进行刻蚀。