[发明专利]金属化基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201710701215.X | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109413847A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴政惠;徐德义;简俊贤;林纬迪;陈富扬 | 申请（专利权）人： | 欣兴电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/03 | 分类号： | H05K1/03;H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 王正茂;丛芳 |
| 地址： | 中国台湾桃园市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶种层 绝缘基板 金属化基板 缓冲层 金属层 缓冲效果 退火工艺 可靠度 微裂缝 有效地 制造 | ||
1.一种金属化基板，其特征在于，包括：
绝缘基板；
第一晶种层，设置于所述绝缘基板上；
第二晶种层，设置于所述第一晶种层上；
金属层，设置于所述第二晶种层上；以及
至少一个缓冲层，设置于所述第二晶种层与所述绝缘基板之间。
2.如权利要求1所述的金属化基板，其特征在于，所述至少一个缓冲层包括含钛缓冲层，所述含钛缓冲层设置于所述第一晶种层与所述绝缘基板之间，其中所述第一晶种层为含钛晶种层。
3.如权利要求1或2所述的金属化基板，其特征在于，所述至少一个缓冲层包括含铜缓冲层，所述含铜缓冲层设置于所述第二晶种层与所述第一晶种层之间，其中所述第二晶种层为含铜晶种层。
4.如权利要求1所述的金属化基板，其特征在于，所述绝缘基板的材质为玻璃。
5.如权利要求1所述的金属化基板，其特征在于，所述金属层的材质为铜。
6.一种金属化基板的制造方法，其特征在于，包括：
提供绝缘基板；
在所述绝缘基板上形成第一晶种层；
在所述第一晶种层上形成第二晶种层；以及
在所述第二晶种层上形成金属层，
其中在形成所述金属层之前，在所述第二晶种层与所述绝缘基板之间形成至少一个缓冲层。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述至少一个缓冲层包括含钛缓冲层，其中形成所述至少一个缓冲层的步骤包括：
在形成所述第一晶种层之前，在所述绝缘基板上形成所述含钛缓冲层，其中所述第一晶种层为含钛晶种层。
8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述至少一个缓冲层包括含铜缓冲层，其中形成所述至少一个缓冲层的步骤包括：
在形成所述第二晶种层之前，在所述第一晶种层上形成所述含铜缓冲层，其中所述第二晶种层为含铜晶种层。
9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述至少一个缓冲层的方法为溅镀。
10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述金属层的方法为电镀。
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