[发明专利]一种TFT阵列基板以及COA型TFT液晶面板在审
申请号: | 201710701387.7 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN107329340A | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 彭邦银;黄添钧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238 | 代理人: | 潘中毅,熊贤卿 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 tft 阵列 以及 coa 液晶面板 | ||
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,所述TFT阵列基板至少包括:
基板(11)以及设置于所述基板(11)上的TFT结构(2);
色阻层(18),设置在所述基板(11)上,其中,所述色阻层(18)对应所述红、绿、蓝色子像素区域分别形成红色色阻块(180)、绿色色阻块(181)、蓝色色阻块(182),至少所述蓝色子像素区域的蓝色色阻块(182)在所述TFT结构的对应位置形成第一开口区域(185)。
2.如权利要求1所述的一种TFT基板,其特征在于,所述阵列基板(1)至少包括红、绿、蓝色子像素区域,每一子像素区域包括基板(11)、设于所述基板(11)上TFT结构(2)以及所述色阻层(18);
其中,所述TFT结构(2)包括设置于所述基板(11)上的栅极(12)及扫描线,设于所述栅极(12)上覆盖所述基板(11)的栅极绝缘层(13),设于所述栅极绝缘层(13)上且对应所述栅极(12)设置的半导体层(14),设于所述栅极绝缘层(13)上与所述半导体层(14)的两端相接触的源/漏极(16),设于所述源/漏极(16)上覆盖所述栅极绝缘层(13)的钝化层(17);
每一子像素区域进一步包括:设于所述栅极绝缘层(13)上且在水平方向上与扫描线垂直交叉排列的信号线(15),设于所述色阻层(18)上的像素电极层(19);其中,所述色阻层(18)设于所述钝化层(17)上,所述色阻层(18)及钝化层(17)上对应所述源/漏极(16)的上方设有第一过孔(81),所述像素电极层(19)经由所述第一过孔(81)与所述源/漏极(16)相接触。
3.如权利要求2所述的一种TFT阵列基板,其特征在于,所述红色子像素区域的色阻块(180)在所述TFT结构的对应位置形成第二开口区域(183),所述绿色子像素区域的色阻块(181)在所述TFT结构的对应位置形成第三开口区域(184)。
4.如权利要求1或2所述的一种TFT阵列基板,其特征在于,在所述第一开口区域(185)中设置有红色色阻。
5.如权利要求1或2所述的一种TFT阵列基板,其特征在于,在所述第一开口区域(185)中设置有绿色色阻。
6.一种COA型TFT液晶面板,其包括阵列基板(1)、与所述阵列基板(1)相对设置的玻璃基板(4)以及位于所述阵列基板(1)与玻璃基板(2)之间的液晶层(3);其特征在于,所述阵列基板(1)采用如权利要求1至4任一项所述的TFT阵列基板。
7.如权利要求5所述的一种COA型TFT液晶面板,其特征在于,所述玻璃基板(4)上对应所述半导体层(14)的位置设有黑色矩阵(44),所述黑色矩阵(44)上设有公共电极层(45)。
8.如权利要求6所述的一种COA型TFT液晶面板,其特征在于,所述像素电极层(19)及公共电极层(25)的材料均为氧化铟锡。
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