[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

多个存储单元晶体管；

字线，连接于所述多个存储单元晶体管；

多个位线，分别连接于所述多个存储单元晶体管；以及

控制电路，在对所述存储单元晶体管写入数据的情况下，

进行对所述字线施加第1电压的第1编程动作，

进行对所述字线施加比所述第1电压低的第2电压的第1编程验证动作，

进行对所述字线施加比所述第1电压低且比所述第2电压高的第3电压的第2编程验证动作，

进行所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作之后，调整对多个位线施加的电压，进行所述第1编程动作、所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作，

当完成所述第2编程验证动作时，进行对所述字线施加比所述第1电压高的第4电压的第2编程动作，

当完成所述第2编程动作时，进行对所述字线施加比所述第4电压高的第5电压的第3编程动作，且

所述控制电路是在进行所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作之后，调整对多个位线施加的电压时，

将对连接于未通过所述第1编程验证动作的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第2电压低的第6电压，

将对连接于通过所述第1编程验证动作但未通过所述第2编程验证动作的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第6电压高的第7电压，

将对连接于通过所述第2编程验证动作的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第7电压高的第8电压，

从而进行所述第1编程动作、所述第1编程验证动作及所述第2编程验证动作。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于：

所述控制电路是

在进行所述第2编程动作及所述第3编程动作时，对连接于成为写入对象的所述存储单元晶体管的所述位线施加所述第6电压，对连接于并非写入对象的所述存储单元晶体管的所述位线施加所述第8电压。

3.一种半导体存储装置，其特征在于具备：

多个存储单元晶体管；

字线，连接于所述多个存储单元晶体管；

多个位线，分别连接于所述多个存储单元晶体管；以及

控制电路，在对所述存储单元晶体管写入数据的情况下，

进行对所述字线施加第1电压的第1编程动作，

进行编程验证动作，所述编程验证动作是对所述字线施加比所述第1电压低的第2电压，并在第1时点及不同于所述第1时点的第2时点，计测连接于成为写入对象的所述存储单元晶体管的所述位线的电流值，

在进行所述编程验证动作之后，调整对多个位线施加的电压，进行所述第1编程动作及所述编程验证动作，

当完成所述编程验证动作时，进行对所述字线施加比所述第1电压高的第3电压的第2编程动作，

当完成所述第2编程动作时，进行对所述字线施加比所述第3电压高的第4电压的第3编程动作，且

所述控制电路是在进行所述编程验证动作之后，调整对多个位线施加的电压时，

将对连接于在所述编程验证动作的所述第1时点未通过的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第2电压低的第5电压，

将对连接于在所述编程验证动作的所述第1时点通过但在所述第2时点未通过的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第5电压高的第6电压，

将对连接于在所述编程验证动作的所述第2时点通过的所述存储单元晶体管的所述位线施加的电压设定为比所述第6电压高的第7电压，

从而进行所述第1编程动作及所述编程验证动作。