[发明专利]SRAM测试结构及其形成方法、测试电路及其测试方法

权利要求书

1.一种测试电路，其特征在于，包括：

存储单元，所述存储单元包括：第一连接端、第二连接端和接地端；

第一传输晶体管，第一传输晶体管包括第一传输栅极、第一传输源极和第一传输漏极，第一传输源极与第一连接端连接；

第二传输晶体管，第二传输晶体管包括第二传输栅极、第二传输源极和第二传输漏极，第二传输源极与第二连接端连接；

连接第一传输漏极的第一位线；

连接第二传输漏极的第二位线；

第三传输晶体管，第三传输晶体管包括第三传输栅极、第三传输源极和第三传输漏极；

第四传输晶体管，第四传输晶体管包括第四传输栅极、第四传输源极和第四传输漏极；

连接第三传输漏极的第三位线；

连接第四传输漏极的第四位线；

第一下拉晶体管，第一下拉晶体管包括第一下拉栅极、第一下拉源极和第一下拉漏极，第一下拉源极与接地端连接，第一下拉漏极与第一连接端连接，第一下拉栅极与第二连接端连接；

第二下拉晶体管，第二下拉晶体管包括第二下拉栅极、第二下拉源极和第二下拉漏极，第二下拉源极与接地端连接，第二下拉漏极与第二连接端连接，第二下拉栅极与第一连接端连接；

第三下拉晶体管，第三下拉晶体管包括第三下拉栅极、第三下拉源极和第三下拉漏极，第三下拉源极与接地端连接，第三下拉漏极与第三传输源极连接，第三下拉栅极与第一下拉栅极连接；

第四下拉晶体管，第四下拉晶体管包括第四下拉栅极、第四下拉源极和第四下拉漏极，第四下拉源极与接地端连接，第四下拉漏极与第四传输源极连接，第四下拉栅极与第二下拉栅极连接；

连接第一传输栅极的第一字线和连接第二传输栅极的第二字线；

所述第三下拉漏极和第三传输源极均与第一下拉漏极连接；所述第四下拉漏极和第四传输源极均与第二下拉漏极连接。

2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第三下拉漏极和第三传输源极均与第一下拉漏极不连接；所述第四下拉漏极和第四传输源极均与第二下拉漏极不连接。

3.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，还包括：第一上拉晶体管，第一上拉晶体管包括第一上拉栅极、第一上拉源极和第一上拉漏极，第一上拉源极和第一连接端连接，第一上拉栅极与第二连接端连接；第二上拉晶体管，第二上拉晶体管包括第二上拉栅极、第二上拉源极和第二上拉漏极，第二上拉源极和第二连接端连接，第二上拉栅极和第一连接端连接，第二上拉漏极和第一上拉漏极连接。

4.一种测试方法，其特征在于，包括：

提供如权利要求1所述的测试电路；

测试第一传输晶体管和第三传输晶体管的阈值电压，步骤包括：

在所述接地端上施加第一电位；

在第一连接端写入“0”数据；

在第二连接端写入“1”数据；

在第一连接端写入“0”数据，且在第二连接端写入“1”数据后，在所述第一位线和第三位线上施加第二电位，第二电位大于第一电位；

在第一连接端写入“0”数据，且在第二连接端写入“1”数据后，在所述第一字线上施加第一测试电位，第一测试电压大于第一电位；

分别测试第一传输晶体管对应不同第一测试电位时的第一传输工作电流；

根据第一传输工作电流随第一测试电位的变化信息，获取第一传输晶体管的阈值电压；

分别测试第三传输晶体管对应不同第一测试电位时的第三传输工作电流；

根据第三传输工作电流随第一测试电位的变化信息，获取第三传输晶体管的阈值电压。