[发明专利]一种原子层沉积设备的气路系统及其控制方法有效
申请号: | 201710702711.7 | 申请日: | 2017-08-16 |
公开(公告)号: | CN109402608B | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 赵雷超;李春雷;秦海丰;纪红 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 系统 及其 控制 方法 | ||
1.一种原子层沉积设备的气路系统,其特征在于,包括:
稀释管路,连接至原子层沉积设备的反应腔室入口,用于向反应腔室内通入稀释气体;
真空管路,连接至所述反应腔室出口,用于通过真空泵将所述反应腔室内的废水和废气排出;
供水管路,所述供水管路包括,氧气管路和氢气管路、载气管路和水汽管路,所述氧气管路和氢气管路分别连接至水汽发生器,用于向水汽发生器内通入氧气和氢气,并通过水汽发生器生成水汽;所述载气管路,连接至水汽发生器,用于向水汽发生器内通入携载气体,以携带水汽;所述水汽管路,一端连接水汽发生器,另一端连接稀释管路,用于将携载气体携带的水汽通过稀释管路汇入所述反应腔室;
及氢气尾气处理管路,一端连接氢气管路,另一端连接氢气尾气处理装置,用于将氢气管路中的氢气尾气通入氢气尾气处理装置;还包括,
氧气尾气处理管路,一端连接水汽发生器,另一端连接真空管路,用于将由水汽发生器流出的携载气体和氧气尾气通过真空管路汇入真空泵;
补偿管路,包括第一补偿支路和第二补偿支路,所述第一补偿支路连接至真空管路,用于将补偿气体通过真空管路汇入真空泵,所述第二补偿支路连接至稀释管路,用于将补偿气体通过稀释管路汇入所述反应腔室。
2.根据权利要求1所述的气路系统,其特征在于,所述稀释管路设有第一质量流量控制器和第一气动阀,所述氧气管路设有第二质量流量控制器和第二气动阀,所述氢气管路设有第三质量流量控制器和第三气动阀,所述氢气尾气处理管路连接在第三质量流量控制器和第三气动阀之间,其设有第四气动阀,所述载气管路设有第四质量流量控制器,所述水汽管路设有第五气动阀。
3.根据权利要求1所述的气路系统,其特征在于,所述氧气尾气处理管路设有第六气动阀,所述补偿管路设有第五质量流量控制器,所述第一补偿支路设有第七气动阀,所述第二补偿支路设有第八气动阀。
4.一种基于权利要求1所述的气路系统的控制方法,其特征在于,包括:
水汽通入反应腔室的步骤,其包括:
关闭氢气尾气处理管路,通过氧气管路向水汽发生器通入一定流量的氧气,并通过氢气管路向水汽发生器通入一定流量的氢气,使氢气与氧气反应生成水汽,通过载气管路向水汽发生器通入一定流量的携载气体,以继续通过水汽管路携带水汽,到达反应腔室上方汇入稀释管路;
同时,通过稀释管路向反应腔室通入一定流量的稀释气体,在反应腔室上方与汇入的携载气体及其携带的水汽相遇,经稀释后,进入所述反应腔室;未参与反应的部分水汽通过真空管路进入真空泵;
和吹扫水汽及其副产物的步骤,其包括:
在上述过程完毕之后,打开氢气尾气处理管路,使氢气通入氢气尾气处理管路,并进入氢气尾气处理装置。
5.根据权利要求4所述的气路系统的控制方法,其特征在于,
所述水汽通入反应腔室的步骤还包括,关闭第二补偿支路,通过第一补偿支路向真空管路通入一定流量的补偿气体,汇入真空泵;
所述吹扫水汽及其副产物的步骤还包括,关闭水汽管路,打开氧气尾气处理管路,将流经水汽发生器的氧气和携载气体通入真空管路,汇入真空泵;同时,关闭第一补偿支路,打开第二补偿支路,将补偿气体通入反应腔室上方的稀释管路,与稀释气体混合后,进入反应腔室,对残留的水汽及其副产物进行吹扫,以维持所述反应腔室压力平衡;所述补偿气体的流量等于氧气、氢气和携载气体流量的总和。
6.根据权利要求4或5所述的气路系统的控制方法,其特征在于,通过设置质量流量控制器和气动阀,以控制各管路的流量和开闭。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710702711.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的