[发明专利]一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法

权利要求书

1.一种倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，包括以下步骤：

步骤1：在标准的SOI晶圆片A的硅电极层上加工出锚点结构和敏感结构腔体，

步骤2：在敏感结构腔体内加工出电极结构；

步骤3：采用键合工艺将另一片SOI晶圆片B的硅电极层键合到SOI晶圆片A上的硅电极层上；

步骤4：去除标准的SOI晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层；

步骤5：在SOI晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构；

步骤6：将一具有腔体的硅帽通过其硅帽键合区域键合到SOI晶圆片B上的电极层上，将敏感结构密封到MEMS芯片的腔体内；

步骤7：从SOI晶圆片A背面依次刻蚀去除焊盘区域位置的SOI晶圆片A的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A的电极层；

步骤8：在焊盘区域采用溅射或蒸发的方式加工出金属焊盘，形成MEMS裸芯片；

步骤9：将硅帽固定到陶瓷管壳内，再键合金属引线实现金属焊盘与陶瓷管壳引脚之间的电信号连接，最后采用可伐合金盖板密封陶瓷管壳；

在SOI晶圆片A的硅衬底上还刻蚀有应力释放槽。

2.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，应力释放槽位于SOI晶圆片A的电极结构与腔体侧壁结构之间空隙区域背面的SOI晶圆片A的硅衬底上。

3.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，锚点结构、敏感结构腔体和/或电极结构采用干法或湿法刻蚀工艺加工而成。

4.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，步骤4中，采用CMP和刻蚀工艺去除SOI晶圆片B的硅衬底和二氧化硅隔离层。

5.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，步骤5中，采用深槽刻蚀工艺在SOI晶圆片B的硅电极层上加工出敏感结构。

6.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，制备硅帽的步骤为：

将一单晶硅晶圆片C进行氧化形成二氧化硅层，刻蚀去除部分二氧化硅层，仅保留硅帽键合区域的二氧化硅层，再采用湿法刻蚀工艺，加工出硅帽腔体。

7.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，按照步骤1至步骤9的方法同时加工完成多片MEMS裸芯片，再进行划片分割成各独立的MEMS裸芯片，然后再采用步骤9的方法进行封装。

8.根据权利要求1所述的倒置装配的MEMS芯片封装结构制作方法，其特征是，步骤8中，需要依次从SOI晶圆片A背面刻蚀去除焊盘区域SOI晶圆片A上的硅衬底和二氧化硅隔离层，暴露出焊盘区域的SOI晶圆片A电极层。