[发明专利]一种用于等离子体处理设备的RF讯号传递装置

说明书

本发明提供一种用于等离子体处理设备的RF讯号传递装置，包含被包覆在一盘体中的一金属层及用于传递RF讯号的一金属棒。其中，该金属棒具有一上端及一下端，该金属棒的上端电性耦接至该电极层，且该金属棒的上端与该金属层之间具有一磁性金属接触。该金属棒的材质选自钨或铬。

技术领域：

本发明是关于一种适用于晶圆处理设备之RF装置，尤其是关于等离子体处理设备的RF讯号传递装置。

背景技术：

用于晶圆处理的等离子体处理设备包含有射频(RF)控制电路。RF控制电路经配置而提供RF讯号并传送给等离子体处理设备中的电极，藉以在一处理腔室中的一处理区域产生电场。反应气体经由电场的施加而离子化并与待处理之晶圆发生反应，像是蚀刻或沉积。一般而言，RF控制电路包含RF讯号产生器及阻抗匹配电路，其中阻抗匹配电路具有电阻组件、电容组件、电感组件或这些的组合。阻抗匹配电路经适当配置以使RF讯号源的阻抗与负载的阻抗匹配。阻抗匹配电路接收RF讯号产生器的RF讯号并通过电路调变而成为供应至等离子体处理设备的RF讯号。

RF控制电路与等离子体处理设备的电极耦接，例如经由缆线或是导电连接结构而形成的RF讯号传递路径，使RF讯号可顺利传递至电极。在已知的配置中，RF控制电路(包含RF讯号传递路径)倾向避免使用过多磁性材质。此原因是在于，磁性材质会造成能量损耗，像是涡电流(eddy current)损耗及磁滞(hysteresis)损耗，这些现象会影响供应至等离子体处理设备或腔室的RF讯号，导致等离子体发散(scattering)。

在现有的技术包含抑制这些损耗的作法，如美国专利公告号US6280563B1揭示一种真空腔室中的等离子体装置，其包含供电的非磁性金属部件设置于等离子体及激发源之间。其中，所述非磁性部件具有多个开口设计，用于瓦解涡电流。此外，美国专利公开号US2007044915A1是关于一种真空等离子体处理器，并揭示一种利用非磁性金属背板和法拉第屏蔽部件(Faraday shield)的配置以降低涡电流的技术。

在RF控制电路的回路中，抑制这些损耗以稳定等离子体处理环境是重要的。然而，欲在复杂的电路回路中完全排除磁性金属的使用亦有其难度。因此，有必要发展可使用磁性金属的结构但不会影响能量损耗或产生干扰的RF讯号传递装置。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种用于等离子体处理设备的RF讯号传递装置，包含一金属层及一金属棒。金属层被包覆在一盘体中，而金属棒用于传递RF讯号，且金属棒的上端与金属层之间具有一磁性金属接触。

本发明的另一目的在于提供一种等离子体处理设备，包含一壳体及一加热座。加热座包含一盘体及一柱体，其中盘体包覆有用于传递RF讯号的一金属层及一加热单元，而柱体自壳体的底部延伸以支撑盘体于壳体中。柱体还包覆有一第一金属棒，第一金属棒具有一上端及一下端，该第一金属棒的上端电性耦接至该金属层，且该第一金属棒的上端与该金属层之间具有一磁性金属接触。

进一步地，所述金属层的材质为钨，所述金属棒的材质为钨或铬。

进一步地，所述磁性金属接触的材质为镍。

进一步地，加热座的柱体还包覆一第二金属棒，第二金属棒与盘体的加热单元电性耦接。

进一步地，所述盘体还包含至少一加热单元。

在以下本发明的说明书以及藉由本发明原理所例示的图式当中，将更详细呈现本发明的这些与其他特色和优点。

附图说明：

参照下列图式与说明，可更进一步理解本发明。非限制性与非穷举性实例系参照下列图式而描述。在图式中的构件并非必须为实际尺寸；重点在于说明结构及原理。

图1为方块示意图，显示本发明等离子体处理设备的一实施例(RF控制电路耦接至上电极)；